公开(公告)号：CN106531864B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201610116648.4

申请日：2016-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤且章 ,  藤本贤治

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制光量的偏向的发光装置。实施方式的发光装置具备：衬底，能够透过光；导电层，具有设置在衬底之上的第1导电部分、及以与第1导电部分相邻的方式设置在衬底之上且较第1导电部分薄的第2导电部分；发光层，设置在第1导电部分之上；第1电极，设置在第2导电部分之上；以及第2电极，设置在发光层之上。

公开(公告)号：CN1367542A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02105300.6

申请日：2002-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  佐伯亮 ,  近藤且章 ,  岩本昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种半导体发光元件,不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件,具有:活性层(通过注入电流产生第一发光);吸收发光部(吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光)。所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差,在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内或在第一发光L1的光谱的半值宽度的0.9倍以下的范围内。