公开(公告)号：CN1299323C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN02160294.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本明人 ,  中尾隆 ,  见方裕一 ,  纲岛祥隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统，不管处理种类如何，难以受到处理环境制约，并且可以适当状态进行处理，可容易地得到优良的半导体器件。其中，将监测装置(8)配置成监测部(29)的外侧暴露于反应容器(2)内，并开始处理，其中监测装置(8)包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部(29)；形成为将向该监测部(29)照射包含规定波长的光的光照射部(16)、接收监测部(29)的照射光的反射光的光接收部(30)、照射光和反射光与反应容器(2)内的气氛和引入反应容器(2)内的物质分离的光路保护体(15)。测定反射光的强度，根据监测部(29)上淀积的淀积物的淀积量求出晶片(3)上淀积的膜的厚度。

公开(公告)号：CN1419265A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02160294.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本明人 ,  中尾隆 ,  见方裕一 ,  纲岛祥隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和制造装置，不管处理种类如何，难以受到处理环境制约，并且可以适当状态进行处理，可容易地得到优良的半导体器件。将监测装置8配置成监测部29的外侧暴露于反应容器2内，并开始处理，其中监测装置8包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部29；形成为将向该监测部29照射包含规定波长的光的光照射部16、接收监测部29的照射光的反射光的光接收部30、照射光和反射光与反应容器2内的气氛和引入反应容器2内的物质分离的光路保护体15。测定反射光的强度，根据监测部29上淀积的淀积物的淀积量求出晶片3上淀积的膜的厚度。

公开(公告)号：CN1098329A

公开(公告)日：1995-02-08

申请号：CN94106963.X

申请日：1994-05-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 见方裕一

IPC: B01D67/00

CPC classification number: C23C16/463 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: 将多个晶片31装进舟皿32，用加热器21加热反应炉22，使晶片31升温。接着，用送风装置20将空气由送风喷管20a输送到加热器21和反应炉22之间，快速冷却加热器21使晶片31以17℃/分的速度降温，只在晶片31的周边部温度比中央部温度变成低30℃期间由第一、第二气体喷管27、28向反应炉22内供应pH3、SiH4。随后在晶片31周边部和中央部的温差不再是30℃时，停止向反应炉22内供应SiH4、pH3，而在晶片31的表面上形成图中未示出的多晶硅膜。