Patent search ap:("株式会社东芝") AND inv:"薮崎宗久" Page 2

11.

发明公开
功率用半导体器件失效

公开(公告)号：CN101924132A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010144886.9

申请日：2010-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 , 小野昇太郎 , 薮崎宗久 , 羽田野菜名 , 渡边美穗

IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36

Abstract: 本发明提供一种功率用半导体器件，其特征在于，具备：在n+漏层之上，横向交替配置的n柱层以及p柱层；设置在p柱层的表面的p基层；形成在p基层的表面的n源层；横向交替设置的表面p柱层以及表面n柱层；与n+漏层电连接的漏电极；在p基层、表面p柱层、以及表面n柱层之间隔着绝缘膜形成的栅电极；以及与p柱层和n源层的表面接合的源电极，表面p柱层设置在两个p基层之间设置的至少一个p柱层之上，设置在表面p柱层之下的p柱层的杂质浓度高于设置在p基层之下的p柱层的杂质浓度。

Patent Agency Ranking