-
-
公开(公告)号：CN1396494A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02121807.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
-
公开(公告)号：CN103317713A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310087116.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B29C59/00
CPC classification number: B41J2/04501 , B29C43/021 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 实施方式的滴状体配置方法包括：将基体的面划分为第1区域并对每个第1区域求出滴状体的量的工序；求出滴状体的总量的工序；求出滴状体的总数的工序；根据模板的接触方式求出暂定的滴状体的配置的工序；将各第1区域分配至最接近的滴状体、将第1区域的集体作为第2区域通过第2区域重新划分的划分工序；以及对每个第2区域求出评价值的评价值计算工序。另外，该实施方式的滴状体配置方法，在评价值的分布处于作为目标的范围内时，确定滴状体的位置，在评价值的分布不处于作为目标的范围内时，重复进行变更至少任一个滴状体的位置的工序、划分工序及评价值计算工序。
-
公开(公告)号：CN1702549B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510073472.0
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。
-
公开(公告)号：CN100422856C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410101124.5
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100392662C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5081 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(processproximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed patternshape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
-
公开(公告)号：CN1275176C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN03119489.3
申请日：2003-03-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。
-
公开(公告)号：CN1766609A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510114825.7
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种光掩模评价方法，包括：利用检查光掩模上的缺陷时使用的缺陷检查信息，生成缺陷考虑图形数据，所述缺陷考虑图形数据反映所述光掩模的设计图形数据中有关所述缺陷的信息；对所述缺陷考虑图形数据，计算关键区分布，而且，估计有关所述光掩模上的缺陷尺寸与该尺寸缺陷在所述光掩模上每单位面积个数之关系的缺陷密度分布；按照所述关键区分布和所述缺陷密度分布，取得有关所述光掩模上缺陷数的信息；以及按照有关所述光掩模上缺陷数的信息，评价所述光掩模。
-
-
公开(公告)号：CN100468193C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN02121806.4
申请日：2002-04-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 提供一种曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法。该曝光掩模的图案修正方法包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.023 seconds)
