公开(公告)号：CN100379000C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410006097.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清利正弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的涉及具备电容器，特别是具备MIM(金属-绝缘体-金属)电容器的半导体器件及其制造方法。本发明的课题是实现可以容易地实现容量密度的增加的MIM电容器。本发明的MIM电容器，具备：下部电极(1)；在下部电极1的上方设置的，以钽氧化物或铌氧化物位主要成分的，在中央部分上含有凸部的第1电介质膜(2)；设置在第1电介质膜(2)的凸部上方的上部电极(3)；设置在下部电极(1)与第1电介质膜(2)之间，介电常数比第1电介质膜(2)小的第2电介质膜(4)；设置在上部电极(3)与第1电介质膜(2)的凸部之间的，介电常数比第1电介质膜(2)小的第3电介质膜(5)。

公开(公告)号：CN1501500A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310113718.3

申请日：2003-11-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清利正弘

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供既是适合于在半导体衬底上的多层布线上形成的高电容·高密度MIM电容器，又是呈现出适合于向AD转换器等的模拟电路的应用的对施加电压的良好的线性度的电容器。MIM电容器由2个实质上说上部电极面积124、125相等的一对元件(第1元件和第2元件)构成，具有一方的电容器的下部电极127或126，和另一方的电容器上部电极124或125彼此用布线129(连接124和127)或129’(连接125和126)电连起来的结构。将实现对电压的线性度极其优良的电容器。即便是使用易于产生在电极界面处的反应的高介电常数材料或难于在大面积衬底上形成均一的界面那样的成膜方法，也可以确保对所加电压的良好的线性度。

公开(公告)号：CN1492510A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03134849.1

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清利正弘 ,  奥和田久美

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/75

Abstract: 本发明提供具备特性和可靠性优异的电容器的半导体器件。本发明的半导体器件是一种具备半导体基板、包括设置在半导体基板的上方的具有金属性的下部电极、具有金属性的上部电极、设置在下部电极与上部电极之间的电介质区域的电容器的半导体器件，电介质区域包括含有从硅、氧、铪和锆中选择的至少一种元素的第1电介质膜。