公开(公告)号：CN1470941A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148293.7

申请日：2003-07-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  佐藤隆 ,  浅野昌史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70558

Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面200上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像211重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。

公开(公告)号：CN1237574C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02121803.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  浅野昌史 ,  出羽恭子

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70558 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  G03F7/70683

Abstract: 一种半导体器件制造方法，在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后，把曝光量及聚焦位置设定为预定值，使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩，对抗蚀剂膜进行曝光处理，在其上形成与监视标记相对应的潜影，再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后，进行显影处理，在曝光处理后，根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果，求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方，并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方，根据所算出的差，来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。

公开(公告)号：CN1235088C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03148293.7

申请日：2003-07-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  佐藤隆 ,  浅野昌史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70558

Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。

公开(公告)号：CN1576778A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062471.1

申请日：2004-07-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤隆 ,  浅野昌史 ,  金井秀树

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/25 ,  G01M11/02 ,  G03F1/08 ,  G03F7/207

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70641

Abstract: 提供一种原版及制造方法、曝光装置检查系统、检查方法，可大幅度缩短半导体器件制造工序中光学系统校正所需的时间。原版包括：掩模衬底(1)；配置在掩模衬底(1)上的遮光膜(17)；设置于遮光膜(17)中的检查图形用开口(56a、56b、56c)及器件图形用开口(57)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的包括分别设置在掩模衬底(1)上的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)的检查图形(20a、20b、20c)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的与掩模衬底(1)上检查图形(20a、20b、20c)分别相邻设置的对准标记(26a、26b、26c)；在器件图形用开口(57)中露出的设于掩模衬底(1)上的器件图形(15a、15b、15c)。