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公开(公告)号:CN102598325A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201180004336.X
申请日:2011-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/8901 , G07D7/121 , G07D11/0084 , H04N1/0285 , H04N1/02865
Abstract: 一个实施方式涉及的照明装置具备光源部和反射部件。光源部具有线状地形成并放出光的发光部。反射部件具有将从光源部的发光部放出的光对规定范围进行反射的反射面。反射面在与光源部的发光部的长度方向正交的方向上,具有折线形状的剖面,该折线形状具有沿着基准椭圆的多个线段,该基准椭圆具有与相对所述规定范围垂直的方向形成规定的角度的长轴。
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公开(公告)号:CN101452930A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810179557.0
申请日:2008-12-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/2686 , H01L21/268 , H01L21/823437 , H01L27/088 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,即使不延长在进行光退火时的半导体基板的升温时间,也能够降低温度不均,从而能够对提高电路性能做出贡献。一种经过用主波长在1.5μm以下的照射光的光退火工序的半导体装置,具有:电路图形区域(20),其在半导体基板上形成,具有与电路工作有关的集成电路图形(21、22);以及虚设图形区域(30),其在基板上与电路图形区域(20)相离开形成,以主波长的0.4倍以下的间距周期性地配置有虚设栅极图形(31),所述虚设栅极图形(31)与集成电路图形中使用的栅极图形(21)具有相同结构且与电路工作无关。
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