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公开(公告)号：CN119626269A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311662919.2
申请日：2023-12-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
IPC: G11B5/09
Abstract: 提供能够在实现盘的大容量化的同时谋求提高向盘记录的数据的质量的磁盘装置。磁盘装置具备盘、写入头、调整部以及写入处理部。上述调整部分别对第1调整值～第3调整值进行调整。上述写入处理部能够选择瓦记录型式，执行基于了上述第1调整值～第3调整值的写入处理。将带BAe的多个磁道STRe的个数设为t+1，将带BAe的多个扇区中的未使用的扇区的个数设为e。上述调整部为了使e＜t成立而对上述第1调整值～第3调整值进行调整。
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公开(公告)号：CN114121043B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202011643239.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对盘写入数据，从盘读取数据；以及控制器，其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。
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公开(公告)号：CN114944172A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110842147.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 实施方式提供能够抑制读性能的劣化的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有通常记录区域和瓦记录区域，所述通常记录区域是以在半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的通常记录写入数据的区域，所述瓦记录区域是以在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的瓦记录写入数据的区域；头，其具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的多个读取头，通过绕旋转轴进行旋转来在所述盘上移动；以及控制器，其对所述通常记录和所述瓦记录进行选择来加以执行，所述通常记录区域中的所述多个读取头中的两个读取头的所述盘的半径方向上的交叉磁道间隔的第1最小值比所述瓦记录区域中的所述交叉磁道间隔的第1最大值小。
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公开(公告)号：CN114121043A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011643239.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对盘写入数据，从盘读取数据；以及控制器，其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。
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公开(公告)号：CN106205640A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510303627.9
申请日：2015-06-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式提供可以根据高频振荡器的振荡特性而筛选使用的记录头、磁记录装置及记录头的制造方法。根据实施方式，记录头具备施加记录磁场的记录磁极(60)、与记录磁极隔着记录间隙相对的写防护件(62)以及在记录间隙内设置于记录磁极与写防护件之间的旋转扭矩振荡器(65)。旋转扭矩振荡器被物理性和/或磁性地破坏，具有预定值以上的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117746919A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310037729.5
申请日：2023-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 本发明提供写入性能高的磁盘装置。磁盘装置具备磁盘、磁头以及控制电路。磁盘具有在径向上排列的多个第1存储区域。多个第1存储区域各自能够进行记录方式的变更。控制电路在接收到指示多个第1存储区域中的一个第1存储区域的记录方式的变更的第1命令的情况下，按照第1命令来变更作为该一个第1存储区域的第2存储区域的记录方式，并且，在接收第2命令之前使磁头移动到第2存储区域上。
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公开(公告)号：CN115938401A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210048521.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 友田悠介
Abstract: 提供能够提高可靠性的磁盘装置及记录型式的变更方法。本实施方式的磁盘装置具备：盘；头，其具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件；以及控制器，其对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行，根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。
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公开(公告)号：CN112151078B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010024533.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/596
Abstract: 实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装置以及写数据的调整方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。
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公开(公告)号：CN111599384B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910608847.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/596
Abstract: 实施方式提供能够使磁记录的品质提高的磁盘装置以及磁盘装置的记录方法。根据实施方式，磁盘装置具备磁头、磁盘和控制部。磁盘记录有用于在由所述磁头记录数据时定位所述磁头的伺服图形。控制部基于所述伺服图形设定所述磁盘的每个预定单位的记录条件，根据该设定的记录条件向所述磁盘进行数据的记录。
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公开(公告)号：CN106067305A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450655.3
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/1278 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助且可以实现高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。根据实施方式，磁记录头具备：空气支撑面(43)；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)，且产生记录磁场；写防护件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，且与主磁极一起构成磁芯；以及高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写防护件之间，且与主磁极及写防护件连接。高频振荡器具有在头部行进方向层叠的旋转注入层(65a)、中间层(65b)及振荡层(65c)，振荡层及旋转注入层分别具有在与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面。从空气支撑面离开的高度位置处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚比空气支撑面处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚形成得厚。
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