公开(公告)号：CN104916671A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410422733.4

申请日：2014-08-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关口秀树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供使耐压提高的半导体装置。半导体装置包括基板、第一导电层、扩散层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三绝缘层。基板具有主面，包括包含半导体元件的内侧区域和其周围的外侧区域。第一导电层设在外侧区域之上，包括第一外侧导电部和第一内侧导电部。扩散层设在外侧区域，包括当向主面投影时在内侧区域与第一外侧导电部间的外侧扩散部和内侧扩散部。第一绝缘层设在第一外侧导电部与外侧区域间，包括外侧绝缘部和当向主面投影时在外侧绝缘部与外侧扩散部间的内侧绝缘部。第二导电层设在外侧区域与第一外侧导电部间，包括内侧绝缘部与第一外侧导电部间的第二外侧导电部、外侧扩散部与第一内侧导电部间的第二内侧导电部和中间导电部。

公开(公告)号：CN100364124C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510055949.2

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

公开(公告)号：CN1652367A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510055949.2

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

公开(公告)号：CN1201412C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02126593.3

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征是具有：具有主面的衬底，以及在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，且进行粗糙面加工，使上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面具有多个凹凸形状，该粗糙面加工后的面上的各凹凸的顶部与底部的距离即凹凸高度设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下，上述由粗糙面加工得到的凹凸是周期性地形成的，在上述发光波长为λ时，凹凸的周期为0.5λ以下。