公开(公告)号：CN108630780A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710799739.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木启太

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/144 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804

Abstract: 本实施方式的光检测元件包括至少一个光电二极管单元，该光电二极管单元具有：半导体基板；第1半导体层，配置在上述半导体基板上；第2半导体层，配置在包括上述半导体基板与上述第1半导体层的界面的区域，该第2半导体层为与上述半导体基板相同的导电型；以及第3半导体层，配置在上述第1半导体层的表面区域。

公开(公告)号：CN104570041A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410448591.9

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木启太 ,  长谷川励

IPC: G01T1/20

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G01T1/2002 ,  G01T1/2018 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明提供了一种光电检测器。根据一个实施例，一种光电检测器包括闪烁体层、光电检测层、抗反射构件、以及中间层。该闪烁体层被配置为将辐射转换为光。该光电检测层具有面对该闪烁体层的第一表面。该光电检测层包括像素区域，该像素区域包括配置为检测光的多个光电检测设备、以及围绕该像素区域的外围区域。该像素区域以及外围区域设置在该第一表面上。该抗反射构件设置在该闪烁体层和光电检测层之间，并且与该外围区域的至少一部分相对。该抗反射构件被配置为防止处于光电检测设备的敏感波长区域内的至少一部分光的反射。该中间层设置在该闪烁体层和光电检测层之间的该抗反射构件之外的区域内。