公开(公告)号：CN101276843A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096687.8

申请日：2008-01-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有隧道绝缘膜的半导体存储装置及其制造方法，即使薄膜化也不会使重复进行写入/擦除时的耐性(耐久特性)恶化。该半导体存储装置包括：半导体衬底(2)；在半导体衬底上形成的第一绝缘膜(6)，该第一绝缘膜包括具有第一氮氧化硅层(8b)、氮化硅层(8a)以及第二氮氧化硅层(8c)的叠层结构的氮氧化硅膜(8)、以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜(10)；形成在第一绝缘膜上的电荷蓄积层(12)；形成在电荷蓄积层上的第二绝缘膜(14)；和形成在第二绝缘膜上的控制栅极(16)。

公开(公告)号：CN101064252A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100937.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井野恒洋 ,  中崎靖

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/31604 ,  C23C14/08 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含(HfzZr1－z)xSi1－xO2－y(0.81≤x≤0.99、0.04≤y≤0.25、0≤z≤1)的非晶态膜的步骤；在含有氧的气氛中对所述非晶态膜进行大于等于750℃的退火处理，形成包含正方晶(HfzZr1－z)xSi1－xO2的绝缘膜的步骤；所述组成中的x、y、z的范围是由XPS法测定的值。

公开(公告)号：CN1819261A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006810.3

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松下大介 ,  村冈浩一 ,  中崎靖 ,  加藤弘一 ,  清水敬

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、P－沟道MOS晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜(SiO2)，和包含硼原子和氮原子的防扩散薄膜(BN)。