公开(公告)号：CN100380224C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310114187.X

申请日：2003-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 峯本尚 ,  西山寿美 ,  涉谷公彦

IPC: G02F1/33 ,  G02F1/00

CPC classification number: G02F1/0009 ,  G02F1/33

Abstract: 本发明提供了一种紫外光声光器件，其包括：射频信号输入部件；将射频信号转换成机械振动的转换器装置；和光学特性随机械振动变化的声光介质。在所述紫外光声光器件中，进入所述声光介质的光是波长为380nm或更短的紫外光，并且所述声光介质是由含有至少硼作为其晶胞组分的氧化物单晶、LiNbO3晶体、或掺杂有MgO的LiNbO3晶体形成的。由此可以获得既不引起激光破坏也不引起光学破坏的声光器件，并且使用该声光器件可以提供不必要水冷的紫外光声光器件和光学成象设备。

公开(公告)号：CN1211955C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN01139307.6

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 峯本尚 ,  伊藤伸器 ,  石河大典 ,  石塚訓

IPC: H04B10/10 ,  H04B10/04 ,  H04B10/06

CPC classification number: G02F1/095 ,  G02F1/092

Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用，并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号，施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用，用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输，因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。

公开(公告)号：CN1357978A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01139307.6

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 峯本尚 ,  伊藤伸器 ,  石河大典 ,  石塚训

IPC: H04B10/10 ,  H04B10/04 ,  H04B10/06

CPC classification number: G02F1/095 ,  G02F1/092

Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用,并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号,施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用,用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输,因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。

公开(公告)号：CN101558188A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001092.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田修 ,  峯本尚 ,  平中弘一 ,  畑山健 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L31/03044 ,  C30B9/10 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。

公开(公告)号：CN1610138A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086095.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勋 ,  塚本和芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/02 ,  Y10S438/94 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。

公开(公告)号：CN1499244A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114187.X

申请日：2003-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 峯本尚 ,  西山寿美 ,  涉谷公彦

IPC: G02F1/11

CPC classification number: G02F1/0009 ,  G02F1/33

Abstract: 本发明提供了一种紫外光声光器件，其包括：射频信号输入部件；将射频信号转换成机械振动的转换器装置；和光学特性随机械振动变化的声光介质。在所述紫外光声光器件中，进入所述声光介质的光是波长为380nm或更短的紫外光，并且所述声光介质是由含有至少硼作为其晶胞组分的氧化物单晶、LiNbO3晶体、或掺杂有MgO的LiNbO3晶体形成的。由此可以获得既不引起激光破坏也不引起光学破坏的声光器件，并且使用该声光器件可以提供不必要水冷的紫外光声光器件和光学成象设备。