公开(公告)号：CN102144292A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201080002455.7

申请日：2010-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  中野高宏 ,  佐野光

IPC: H01L27/14 ,  H01L23/02 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

Abstract: 提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置具备成本低且可靠性以及批量生产能力高的元件结构。半导体装置(100)，具备：基板(101)，包括摄像区域(102)，并具备第一主面和第二主面；电极部(103)，被形成在第一主面上；外部电极(109)，被形成在第二主面上；导体层(108)，被形成在贯穿基板(101)的贯穿孔中，使电极部(103)和外部电极(109)电连接；光学部件(105)，被形成在第一主面的上方，具备具有凸形的凸形面；以及透光材料(106)，被粘接到光学部件(105)以覆盖凸形，透光材料(106)的上面平坦。

公开(公告)号：CN102138215A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980133815.4

申请日：2009-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐野光 ,  中野高宏

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/2254 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光学器件及其制造方法，能防止由透光性基板的外周端面上的反射光引起的噪声的发生，并且，可以提高透光性基板的光学性有效区域的占有率。本发明的光学器件具备：形成有受光元件(2)的半导体基板(1)；及在半导体基板(1)的上方覆盖受光元件(2)而配置、并通过粘接剂层(5)固定在半导体基板(1)的透光性基板(4)；透光性基板(4)在其外周端面具有从上表面朝向下表面扩展而倾斜的弯曲面。

公开(公告)号：CN101499480A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810188505.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐野光 ,  富田佳宏 ,  中野高宏

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片及一种半导体装置。半导体芯片(10)包括基板(11)、形成在基板(11)的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路(12)、形成在基板(11)中与多个半导体元件中的规定半导体元件(30)相对应的区域内的放热插塞(31)、以及形成在放热插塞(31)中除了放热插塞(31)的上端部以外的部分与基板(11)之间的第一绝缘膜(16)。放热插塞(31)由填充到在与元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于基板(11)的热导率的材料形成，该放热插塞(31)的上端部与基板(11)接触。因此，能够实现从半导体基板的背面一侧高效地放热的半导体芯片。