公开(公告)号：CN1365522A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上,利用UHV－CVD法,使B掺杂Si1－x－yGexCy层102(0

公开(公告)号：CN102272927B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201080003876.1

申请日：2010-07-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/222 ,  H01L27/249 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板(500)的上方的反应性传导材料(504)及非反应性传导材料(505)的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料(504)的侧面使规定长度的反应性传导材料(504)变化成绝缘物(801)，使非反应性传导材料(505)的侧面相对于反应性传导材料(504)的侧面突出而形成突起(804)的工序，绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理，反应性传导材料(504)是通过氧化处理或氮化处理发生化学反应而变化成绝缘物(801)的材料，非反应性传导材料(505)是通过氧化处理或氮化处理不变化成绝缘物(801)的材料。

公开(公告)号：CN1215569C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN1180483C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上，利用UHV-CVD法，使B掺杂Si1-x-yGexCy层102(0＜x＜1，0.01≤y＜1)外延成长。此时，作为杂质(掺杂物)的硼(B)的原料气体采用B2H6来进行现场掺杂。然后，对Si1-x-yGexCy层102实施热处理，作为B掺杂Si1-x-yGexCy结晶层103。希望把热处理温度设定在700℃～1020℃的范围内，而且，最好把热处理温度设定在900℃～1000℃的范围内。

公开(公告)号：CN1169195C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN01801731.2

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  神泽好彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体，是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后，计算物理量测定值的预想值。并且，将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较，利用例如急速下降法等，求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

公开(公告)号：CN1364309A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800521.7

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。