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公开(公告)号：CN1961432A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1922772A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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公开(公告)号：CN1618154A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1515036A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811802.2
申请日：2002-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01S5/34333
Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型ALGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。
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公开(公告)号：CN100454597C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100418236C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN03810353.2
申请日：2003-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，具有：蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u-GaN层(12)；形成于该u-GaN层(12)上的再生长u-GaN层(13)；形成于u-GaN层(13)上，具有n-GaN层(15)、活性层(16)及p-GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n-GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p-GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u-GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。
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公开(公告)号：CN101124704A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005368.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0207 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。
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公开(公告)号：CN1271767C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1707890A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510075140.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。
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公开(公告)号：CN1653624A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810353.2
申请日：2003-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107
Abstract: 一种半导体发光元件，它具有蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u－GaN层(12)；形成于该u－GaN层(12)上的再生长u－GaN层(13)；形成于u－GaN层(13)上，具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n－GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p－GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u－GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。
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