公开(公告)号：CN101266977A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810003170.X

申请日：2008-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/823443 ,  H01L21/823456

Abstract: 提供即便是随着精细化的发展栅极长度的变化进一步增大的情况下，能够实现安定搭载了高驱动力MISFET的高性能装置的全硅化物化(FUSI)技术。本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中相对于具有第一栅极长度(相对短的栅极长度)的第一栅电极(105A)全硅化物化(FUSI)而言，具有第二栅极长度(相对长的栅极长度)的第二栅电极(105B)没有全硅化物化(FUSI)。

公开(公告)号：CN101123252A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710138244.6

申请日：2007-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板(1)的活性区域(1a)上，隔着高介电常数栅极绝缘膜(4)形成有栅极电极(7A)。在基板(1)的活性区域(1b)上，隔着栅极氧化膜(6)形成有栅极电极(7B)。在栅极电极(7A)及(7B)各自的侧面形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物(8A)及(8B)。

公开(公告)号：CN1921070A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121312.3

申请日：2006-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹冈慎治 ,  濑部绍夫 ,  平濑顺司 ,  粉谷直树 ,  冈崎玄 ,  相田和彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种包含具有均一硅化物相的FUSI栅电极的半导体装置及其制造方法。在包含硅栅极(202)的基板整个面上堆积Ni膜(205)之后，通过CMP处理等除去硅栅极(202)的一部分，在硅栅极(202)的正上方剩余上表面平坦、膜厚均匀的Ni层(206)。接着，通过使其进行硅化物反应，能够形成具有均一硅化物相的栅电极(207)。

公开(公告)号：CN1909243A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610093872.2

申请日：2006-06-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  濑部绍夫 ,  粉谷直树 ,  冈崎玄 ,  相田和彦 ,  竹冈慎治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在使用了高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，在不使高介电常数栅极绝缘膜劣化的情况下，提高MISFET的特性。夹着高介电常数栅极绝缘膜4A在衬底1的活性区域上形成有栅极电极5。在栅极电极5的侧面形成有绝缘性侧壁7。高介电常数栅极绝缘膜4A从栅极电极5的下侧连续形成到侧壁7的下侧。高介电常数栅极绝缘膜4A中的侧壁7的下侧区域的厚度小于高介电常数栅极绝缘膜4A中的栅极电极5的下侧区域的厚度。

公开(公告)号：CN1099130C

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN94118396.3

申请日：1994-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  赤松宽范 ,  赤松晋 ,  堀隆

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0218

Abstract: 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。

公开(公告)号：CN101123252B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710138244.6

申请日：2007-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板(1)的活性区域(1a)上，隔着高介电常数栅极绝缘膜(4)形成有栅极电极(7A)。在基板(1)的活性区域(1b)上，隔着栅极氧化膜(6)形成有栅极电极(7B)。在栅极电极(7A)及(7B)各自的侧面形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物(8A)及(8B)。

公开(公告)号：CN101030598A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610135633.9

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  粉谷直树 ,  竹冈慎治 ,  冈崎玄 ,  濑部绍夫 ,  相田和彦

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。

公开(公告)号：CN1941372A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610093202.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤好弘 ,  平濑顺司

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823443 ,  H01L23/485 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：在半导体基板(10)上形成的元件分离区域(12)以及由元件分离区域(12)围成的活性区域(11)；形成在元件分离区域(12)以及活性区域(11)上且被完全硅化物化的栅极布线(19)；和连续地覆盖栅极布线(19)的侧面的绝缘性侧壁(21)。栅极布线(19)的至少一部分被形成为从侧壁(21)突出。这样，在采用栅极布线的宽度窄的完全硅化物化栅极工艺的半导体装置中，能实现不用改变栅极布线的设计规则，便可容易地确保栅极布线和接点的接触面积且栅极布线的布线电阻小的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1901194A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610105521.9

申请日：2006-07-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/7845

Abstract: 本发明提供一种不使栅极绝缘膜劣化，而提高了载流子移动性的MISFET。在MISFET中，对栅电极(5)中的设置在元件分离区域上的部分(25a)导入使晶格常数变化的杂质。以栅电极(5)的部分(25)为起点，对沟道区域施加使载流子移动性提高的方向的应力。

公开(公告)号：CN1554015A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02802042.1

申请日：2002-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田聪 ,  平濑顺司 ,  杉山龙男 ,  金崎惠美 ,  川濑文俊 ,  内藤康志

IPC: G01J5/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01J5/0003

Abstract: 本发明的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中，在测量衬底10背面的辐射率ε时，衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20；而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。