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公开(公告)号：CN1126127C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1235338A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe2O3膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。
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公开(公告)号：CN1189675A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN97126174.1
申请日：1997-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3951 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁致电阻器件包括:至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层;和形成传导电子的金属反射层,与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触,该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287397C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体，在上述微粒(30)的表面上，形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31)，在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33)，在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34)，使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此，可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外，在应用于磁性粒子的情况下，可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体，可以实现高密度磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN1124594C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
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公开(公告)号：CN1437772A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811520.9
申请日：2001-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 在本发明中，作为所谓的CPP－GMR元件的非磁性层，使用了以电阻率在4μΩ.cm以上200μΩ.cm以下的金属为主要成分的薄膜。此元件即使在面积受限制时，其电阻也不会过高。所以，即使在很窄的磁缝中也能获得大的输出。
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公开(公告)号：CN1359099A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01109991.7
申请日：2001-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应装置,包括:一自由层,其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转;一非磁性层;和一被钉扎层,其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转,该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上,其中该被钉扎层包括:一用于交换耦合的第一非磁性膜;和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜,该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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