-
公开(公告)号：CN101351888B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780001020.9
申请日：2007-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。
-
公开(公告)号：CN101164168B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
-
公开(公告)号：CN101164167A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013537.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60－11、60－12、60－21、60－22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60－11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
-
公开(公告)号：CN1084907C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
-
公开(公告)号：CN1147670A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96108296.8
申请日：1996-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101568971B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供能够在三个以上的能够判别的状态再现性较好地写入，并且各个状态是十分稳定的状态，使作为多值的非易失性存储元件稳定地动作的非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
-
公开(公告)号：CN101542729B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
-
公开(公告)号：CN1938781B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
-
公开(公告)号：CN101569011A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780048350.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1625 , G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 提供电阻变化型元件(10)、电阻变化型存储装置以及电阻变化型装置，其包括第一电极(2)、第二电极(4)、和配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其具有如下性质，即，电阻变化层(3)包含具有用(NiXFe1－X)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，X大于等于0.35小于等于0.9，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻降低，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有极性与第一电压不同的第二电压的第二电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升。
-
公开(公告)号：CN101568971A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.036 seconds)
