-
公开(公告)号：CN113322393A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110593651.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜‑磷化亚铜低共熔混合物的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后在高温中加热表面生长有磷化亚铜的铜箔，使之形成液态熔融物；之后冷却液态熔融物冷却获得铜‑磷化亚铜低共熔混合物复合材料。本发明具有不同于一般磷化亚铜‑铜复合材料的特性，比如强度大、电导。
-
公开(公告)号：CN113136641A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110275151.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
-
公开(公告)号：CN114162849B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111491942.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明公开了一种硫化银纳米材料及气敏器件的制备方法，本发明以碘化银、氢碘酸、异丙醇胺、氢氧化钾为原料，制备出银离子溶液，然后以硫脲和PVP的溶液为硫源，两者混合后最终制备出一种具有三维空间结构的纳米硫化银材料。本发明在硫化银表面修饰聚乙烯吡咯烷酮，该材料对水汽、乙醇的吸附性能好，复合PVP后，硫化银水汽、乙醇探测灵敏度提高。本发明制备的探测器件，不同于通常气敏传感器，灵敏度在表面湿度达到一定值后会断崖式陡降，出现一个阶跃信号，这对器件信号获取和处理是有益的，利用这种性质，实现对水汽、乙醇浓度的准确、快速探测，而通常气敏传感器不出现阶跃信号。
-
公开(公告)号：CN114284384B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111617503.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法，本发明首先在铜箔片表面生长磷化亚铜，然后，在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜；最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化锌构成的光电器件，制作方法简单，器件性能重复性高，制备器件所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光探测性能较好。
-
公开(公告)号：CN113637943A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110858227.X
申请日：2021-07-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法，本发明在氧化铝陶瓷基底上，首先沉积生长金叉指电极，接着在金叉指电极表面涂覆硫化银纳米颗粒，获得硫化银探测器，将硫化银探测器设置在容器内，容器内设置蓝光LED光源。本发明操作简单，本发明通过光激发诱导的光电化学反应，对二硫化碳有非常好的气敏性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113285005A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110593629.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件的制备方法，本发明将近红外荧光材料涂覆到能发射短波长光的电致发光二极管(LED)表面，制备了近红外发射器件；所述的近红外荧光材料为核壳结构的磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料。在短波长光LED的激发下，能够发射近红外光。本发明制备的器件发射波长为750nm附近的近红外光；器件结构简单，制备方法简便。
-
-
公开(公告)号：CN112701188A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011593301.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/28 , C23C14/26
Abstract: 本发明公开了一种近红外光电探测器及其制备方法，本发明一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。本发明制备的近红外光光电探测器，无需外延生长设备，具有成本低的优点。
-
公开(公告)号：CN114150291B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111490272.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)为基底，采用采用化学气相沉积法(CVD)在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。
-
公开(公告)号：CN113388392B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110593627.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种荧光材料的制备方法，本发明采用次磷酸钠作为磷源，表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源，通过在惰性气氛中加热，铜被磷化生成磷化亚铜，氧化铜生成氧化亚铜，获得氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料。本发明以铜箔表面生长的氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料，后经退火处理，获得高结晶质量磷化亚铜，磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单，成本低，所制备复合材料，发光峰位于红光与近红外光的交界处，荧光峰中心位置750nm，半高宽70nm，单色性较好好，光致发光效率较高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.023 seconds)
