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公开(公告)号：CN116318609A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211616715.0
申请日：2022-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于负电容的混沌电路，由一个负电容C1,一个线性电容C2，一个电感L,一个线性电阻R和一个负电阻‑R0组成。负电容的电压电荷曲线为S形，其负斜率部分即为负电容区域。负电容通过电阻R与线性电容和电感构成的闭合回路耦合构成一个三阶系统，负电阻并联在电路两端用来提供振荡所需的能量。在合适的线性器件参数下，该混沌电路能产生多种混沌现象，填补了现有技术中使用负电容构成混沌电路研究的空白。
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公开(公告)号：CN119067165A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411173142.8
申请日：2024-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06N3/0442
Abstract: 本发明公开了一种基于硬件忆阻耦合神经网络的图着色问题求解优化方法，包括如下步骤：获取待解决图着色问题的无向图，根据无向图每个顶点的连接关系计算出每个顶点的度和所有顶点中最大的度；根据耦合电阻RC和耦合电容CC的输出相位特性指定的映射规则将无向图映射到忆阻耦合神经网络，从而构建硬件忆阻耦合神经网络；根据步骤1得到的每个顶点的度和所有顶点中最大的度设置忆阻耦合神经网络的参数，所述参数包括耦合电阻RC、耦合电容CC、神经元电容C和补偿电容C′；应用设置好参数的忆阻耦合神经网络，输入电压波形，输出电流波形与最终着色结果。该方法可以用于求解图着色问题，并展现出较快的求解速度和直观的网络结果。
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公开(公告)号：CN111817700B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010484312.X
申请日：2020-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的自治混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个直流电压源VD、一个正弦电压源vD串联组成。N型局部有源忆阻器是一种整体无源局部有源忆阻器，其在直流V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对该具有特殊数学模型的N型局部有源忆阻器和电感构成的串联电路，施加合适的直流电压偏置和正弦驱动电压后，使局部有源忆阻器工作在负微分电导区域并使其产生混沌现象，填补了现有技术使用N型局部有源忆阻器组成自治混沌电路研究的空白。
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公开(公告)号：CN116169991A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310184029.9
申请日：2023-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明涉及一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个S型局部有源忆阻器、一个电容C、一个电阻R和一个直流电压源VD组成。S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器都是一种整体无源局部有源忆阻器，前者在直流V‑I特性曲线中呈现S型负微分电阻，后者在直流V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对S型局部有源忆阻器、N型局部有源忆阻器和电容构成的并联电路，施加合适的直流偏置，同时令S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器分别工作在负微分电阻区域和负微分电导区域，并使电路产生混沌现象，弥补了现有技术中基于局部有源忆阻器实现无电感混沌电路研究的空白。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115310393A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210773403.4
申请日：2022-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种仅由VC型局部有源忆阻器构成的振荡电路，包括VC型局部有源忆阻器VCLAM1、VC型局部有源忆阻器VCLAM2和一个直流电压源VD，所述直流电压源VD的负极接地，所述直流电压源VD的正极与VC型局部有源忆阻器VCLAM1正极相连接，所述VC型局部有源忆阻器VCLAM1的负极与VC型局部有源忆阻器VCLAM2正极相连接，所述VC型局部有源忆阻器VCLAM2的负极接地。该技术方案，仅包含两个VC型局部有源忆阻器和一个直流电压源VD。VC型局部有源忆阻器具有纳米级、低功耗、局部有源特性和CMOS技术兼容性等特点，与现有振荡电路相比，该振荡器不具备电抗元件，能够最小化体积，可以应用于振荡计算架构，便于集成应用。
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公开(公告)号：CN114118396A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111466078.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的神经元电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个激励电压源VD串联组成。N型局部有源忆阻器是一种在DC V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导的忆阻器。通过对该具有特殊数学模型的N型局部有源忆阻器和电感串联构成神经元电路，施加合适的电压激励，使N型局部有源忆阻器具有放大小信号的能力，产生复杂的神经形态行为，为N型局部有源忆阻器在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。
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公开(公告)号：CN111786769A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010484293.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD。S型局部有源忆阻器LAM和电感L串联后与电容C并联后构成一个三阶系统，直流电压源与线性电阻串联后为S型局部有源忆阻器提供偏置电流。S型局部有源忆阻器具有纳米级尺寸优势，采用其设计的混沌电路体积小，结构简单，易于集成化，可以广泛地应用至电子通信领域及其他工程领域。其中S型局部有源忆阻器数学模型与现有模型相比，参数更少、表达形式更简单，有助于S型局部有源忆阻器的分析及其应用电路的探索研究。
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公开(公告)号：CN110765718A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910904410.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二值型忆阻器电路仿真器，本发明采用运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻和电容组成的二值型忆阻器电路仿真器，通过选择积分电路参数来适应不同的工作频率范围。采用反相滞回电路可以实现忆阻器两个阻态的保持和切换，并可通过调节反相加法电路的参数，改变高阻态和低阻态的比例。该电路仿真器可直接与实际电路元器件连接，适用于忆阻器在数字逻辑领域的研究和应用。
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公开(公告)号：CN109474209A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811328524.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 一种具有内阻自适应调节功能的磁链测量电路，可应用于开关磁阻电机无位置传感器控制领域。采用八只运算放大器、一只乘法器、十三只电阻、三只电容和两只可控开关构成具有内阻自适应调节功能的磁链测量电路。该电路可实现开关磁阻电机运行时绕组内阻的精确估计和实时调节，通过可控开关消除磁链积分误差，计算快，精度高，不占用存储空间，在开关磁阻电机无位置传感器控制领域具有广阔的应用前景。
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