-
公开(公告)号：CN113369494B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110657361.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种中空的金‑银‑铂三金属材料及其合成方法，因此，本发明先利用种子生长法合成均匀的金纳米棒，再将清洗过的金纳米棒作为种子，通过添加表面活性剂CTAC，硝酸银溶液，抗坏血酸，在60℃的水浴下加热30分钟最终可得到均匀的金‑银双金属。再添加四氯铂酸钾溶液，在60℃的水浴下加热20分钟，最终即可获得具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。本发明反应条件易控，所需反应物的量少，成本低，且不会造成资源浪费，能够高效地合成均匀的具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。
-
公开(公告)号：CN112756622B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011603131.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低表面活性剂浓度下金纳米棒材料的制备方法，使用浓度低至0.008M的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与0.005M的油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。包括以下步骤：将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液。并用磁力搅拌器剧烈搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到最终产物。
-
公开(公告)号：CN114309588A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111545488.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面改性方法，包括以下步骤：(1)通过种子法制备金纳米棒分散液；(2)清洗稀释；(3)包覆二氧化硅层；(4)表面改性。本发明工艺步骤简单，可操作性强，重复性高，包覆效果好，可获得一种表面包覆有二氧化硅、同时在二氧化硅层表面接枝有OTMS的金纳米棒材料，有助于扩大金纳米棒的应用范围。
-
公开(公告)号：CN112809018A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011637855.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金‑铂双金属结构材料的合成方法，这种双金属结构包括做为核结构的金纳米棒和做为壳结构的铂。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长铂。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，铂酸盐，还原剂使其混合均匀；最后控制反应的温度，使得金纳米棒上成功生长出铂，通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成的金‑铂双金属更加均匀，而且反应条件更加简洁，提高了反应速度，实现了低成本。
-
公开(公告)号：CN112809016A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011629357.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，首先合成金纳米棒，然后将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液，得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后，将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中，在加入一定量的NaOH溶液后，以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液。生长一定厚度的介孔二氧化硅之后，离心清洗，并以1：1的比例加入水和乙醇分散。再加入一定量的氨水溶液,多次加入TEOS溶液，得到最终产物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116140636A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310198700.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F9/24 , B22F1/17 , B22F1/054 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B01J23/52 , B01J35/02 , C02F1/00 , C02F101/36 , C02F101/38 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种锯齿状结构的金‑钯‑铂三金属纳米复合材料及其合成方法，合成方法为：S1：利用种子生长法制备金纳米棒；S2：将清洗后的1mL金纳米棒分散到34mL 30mM的CTAB溶液中，高温环境下，加入还原剂和含有钯离子的水溶液，静置；再加入含有铂离子的水溶液，继续高温静置，进行生长；将生长后的溶液离心，去除上清液，最终获得金‑钯‑铂锯齿状三金属纳米颗粒步骤。本发明制得的锯齿状结构的金‑钯‑铂三金属纳米颗粒既保留了金纳米棒等离激元特性对可见光的敏感性，又附加了钯铂材料优异的催化特性，两种特性相互协同，且催化效率高，能对甲基橙、甲基蓝等有毒染料快速分解，在催化领域有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113385687B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110657362.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不对称的金‑银‑铂‑银多层复合材料及其合成方法，首先利用种子生长法制备金纳米棒，然后将金纳米棒作为种子添加相应量的CTAC，硝酸银，抗坏血酸，使其混合均匀，水浴加热60℃，即在金纳米棒的外围生长一层薄薄的银；再添加相应量的四氯铂酸钾，水浴加热60℃，使得金‑银双金属两端生长出铂；最后再添加对应量的硝酸银，使得最终的银不对称生长。本发明所合成的不对称的金‑银‑铂‑银多层复合材料在结构上具有很高的均匀性，而且成本低，容易实现。
-
公开(公告)号：CN113385687A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110657362.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不对称的金‑银‑铂‑银多层复合材料及其合成方法，首先利用种子生长法制备金纳米棒，然后将金纳米棒作为种子添加相应量的CTAC，硝酸银，抗坏血酸，使其混合均匀，水浴加热60℃，即在金纳米棒的外围生长一层薄薄的银；再添加相应量的四氯铂酸钾，水浴加热60℃，使得金‑银双金属两端生长出铂；最后再添加对应量的硝酸银，使得最终的银不对称生长。本发明所合成的不对称的金‑银‑铂‑银多层复合材料在结构上具有很高的均匀性，而且成本低，容易实现。
-
公开(公告)号：CN112846219A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022561.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒‑钯复合材料的制备方法，首先制备好金纳米棒原料，重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液，在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。然后将二氧化硅包覆的金纳米棒置于60℃的油浴中加热，通过添加对应量的盐酸开始腐蚀过程，再添加大量冷置的甲醇来结束腐蚀。再将产物离心(8000rpm,10min),所得的沉淀分散在水溶液中。最后通过添加对应量的四氯钯酸钠溶液，再添加相应量的抗坏血酸溶液，搅拌1分钟得到最终产物。再通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所制备的一种金纳米棒‑钯复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
-
公开(公告)号：CN112828284A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011631700.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法，首先制备好金纳米棒原料，重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液，在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。本发明所制备的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.023 seconds)
