公开(公告)号：CN213334823U

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202021879353.0

申请日：2020-09-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈家豪 ,  林淑雯 ,  卢红伟 ,  韩新龙 ,  李毅峰 ,  吴若愚 ,  施晴 ,  王亚楠 ,  吕凡 ,  张亮 ,  魏锦鸿 ,  周欣怡

IPC: F24F8/108 ,  F24F8/158 ,  F24F8/22 ,  F24F11/64 ,  F24F11/74 ,  F24F13/28 ,  F24F110/10 ,  F24F110/20 ,  F24F110/65 ,  F24F110/70 ,  F24F110/64

Abstract: 本实用新型公开一种可控通道开度式空气净化器，包括一根进气管、与进气管连接的净化管，包括至少两根净化管，其中，至少一根净化管内填充着HEPT滤网，至少一根净化管内固设有活性炭，且任意一根净化管内都设有控制流通风量大小的风阀。本实用新型通过检测装置检测配合风阀的开合，适当对管道流量进行控制，以达到专项净化的目的，实现了净化的高效性和针对性。

公开(公告)号：CN201374335Y

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200920116437.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张亮 ,  苏步春 ,  张帆 ,  刘国华 ,  徐丽燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型涉及集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。

公开(公告)号：CN202661576U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201220365387.7

申请日：2012-07-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王林泽 ,  张亮 ,  赵文礼 ,  王桥医

IPC: G01R31/00 ,  H03H9/46

Abstract: 本实用新型涉及一种基于无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路。本实用新型中的前置求和放大电路包括前置求和放大器U1、第一反向器F1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可变电阻Rv1、第一接地电阻R201、第二接地电阻R202。求和积分电路包括求和运算放大器U2、积分运算放大器U3、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第三接地电阻R203、第四接地电阻R204、积分器电容C_INTE。三通道选择反馈电路包括比较电路和反馈电路。本实用新型可以将淹没在强噪声中的有用信号增强，使噪声显著减弱，实现从强噪声背景中提取出微弱信号的目的。

公开(公告)号：CN201681942U

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201020154946.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张帆 ,  苏步春 ,  张亮 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。