公开(公告)号：CN113588876A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110790818.8

申请日：2021-07-13

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 刘皓 ,  徐瑶华 ,  张晓 ,  赵文瑞 ,  明安杰

IPC: G01N33/00

Abstract: 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法，采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构，同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口，并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极，之后在色谱柱上加载固定相，在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料，并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离，提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时，将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成，能够显著降低传感器的体积，利于实现传感器的小型化，适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。

公开(公告)号：CN112557460A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011412747.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 刘皓 ,  徐瑶华 ,  张晓 ,  赵文瑞 ,  明安杰

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度三氧化钨气敏薄膜的制备方法，涉及气敏薄膜制备技术领域。本发明将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间，之后再采用射频掠射角磁控溅射在处理后的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜并进行热处理。本发明能够提高在硅基体上沉积的三氧化钨气敏薄膜对二氧化氮的灵敏度，且制备工艺简单，与目前微型气体传感器的制备工艺兼容性高，便于实现硅基集成，适合于工业大规模生产。

公开(公告)号：CN210626385U

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201921159036.9

申请日：2019-07-22

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 张晓 ,  徐瑶华 ,  刘皓 ,  赵文瑞 ,  魏峰

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/30

Abstract: 本实用新型公开了一种具有四支撑悬梁结构的电阻式半导体气体传感器。该传感器结构自下而上依次包括：硅衬底层，其中部有凹槽作为隔热腔体；支撑层，其包括支撑悬梁和绝缘区，绝缘区位于硅衬底层隔热腔体上方，绝缘区通过四根支撑悬梁与硅衬底层相连；电极层，其包括加热电极、叉指电极、供电引线和测试引线，加热电极呈折线形分布于绝缘区两侧，并通过供电引线与供电电极相连；叉指电极分布于绝缘区中心，并通过测试引线与测试电极相连；气敏层，其覆盖于叉指电极上，并与所述叉指电极电连接。本实用新型功耗较小、绝热性良好。同时，温度控制更加合理，避免了叉指电极与加热电极因低阻气敏材料加载导致的短路现象。