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公开(公告)号：CN112723881B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011617860.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01B3/12 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高压陶瓷材料领域，尤其涉及一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明以Bi2O3、La2O3、TiO2、CaCO3为原料，按照配比要求，采用固相烧结合成工艺合成。由上述介电材料制成的陶瓷电容器，具有如下电气性能：温度变化率|△ε|/ε25≤1％(‑40℃～70℃)，介电常数ε25≥130，损耗角正切值tgδ≤0.3％，击穿电压VBAC≥5kV/mm，适合用于电子式电压互感器用电容器。
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公开(公告)号：CN113218811B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
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公开(公告)号：CN113218811A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
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公开(公告)号：CN114538450B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
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公开(公告)号：CN112226740B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011101048.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碱金属源的制备方法，主要包括前驱原料提纯、粒度控制、混合、速冷、真空冷冻干燥等。本发明对原料的粒度和混合状态进行控制，从而实现对碱金属源工作时的反应速率进行控制。基于本发明制备的碱源，具有原料混合均匀、粒度一致性高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113135576B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
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公开(公告)号：CN114538457A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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公开(公告)号：CN114192787A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110885212.2
申请日：2021-08-03
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯锆铝16合金粉体的制备方法，包括以下步骤：将高纯锆块、高纯铝块采用悬浮熔炼方式制备成锆铝16合金锭；熔炼前将熔炼腔体抽真空再向熔炼腔体中充入高纯惰性气体反复冲洗熔炼腔体；打磨锆铝16合金锭表面的杂质，将其破碎成多个质量为100g～500g的小锭后装入密封式粉碎机中将所有小锭粉碎，得到粉碎后的锆铝16合金粉末；采用振筛机将粉碎后的锆铝16合金粉末进行振筛，得到‑400目～‑80目高纯锆铝16合金粉体，将高纯锆铝16合金粉体抽真空封装。本发明制备出的锆铝16合金粉体作为还原剂来制作碱源，将碱源应用于光电阴极，碱金属蒸气的纯度高、不含有害的杂质气体、光电阴极的灵敏度高。
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公开(公告)号：CN113135576A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
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公开(公告)号：CN109518258B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811629584.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了属于电真空元件制造技术领域的一种电真空用绝缘热丝的制备方法。本发明利用电泳沉积在热丝表面沉积绝缘层，烧结后制得电真空用绝缘热丝；电泳沉积中电泳液由混合氧化物和混合溶液混合得到，所述混合氧化物包括氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化钇；所述混合溶液包括硝棉溶液、硝酸铈铵溶液、乙醇。本发明制备方法简单高效，制备的绝缘热丝表面平整、厚度均匀、绝缘性较高、绝缘层厚度易于调控，能满足内加热型吸气元件及阴极灯丝等真空器件的较高要求。
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