公开(公告)号：CN111272505A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911220551.8

申请日：2019-12-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 野口骏介

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32

Abstract: 一种SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，具有：使用从晶种沿着c轴方向使SiC结晶生长而成的SiC锭，在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭，得到包含所述弯曲面的头构件的工序；和研磨所述头构件的硅面从而得到评价用样品的工序。

公开(公告)号：CN109863387A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780065450.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 野口骏介 ,  大矢信之

IPC: G01N21/27 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  G01J3/50

Abstract: 一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价。