公开(公告)号：CN103695693B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201310681429.7

申请日：2013-12-13

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 毕珺 ,  张昆华 ,  管伟明 ,  宁远涛

IPC: C22F1/14

Abstract: 本发明公开了一种金基合金电接触材料的制备方法，涉及使用二次时效的工艺对电接触材料金基六元合金进行处理，以获得具有较高综合性能产品。通过熔铸，均匀化热处理，冷变形，高温短时间一次时效和低温长时间二次时效处理后，合金的电学性能和力学性能达到了良好的匹配，综合性能优于使用传统工艺处理后的产品，使合金的性能得到进一步的提高。

公开(公告)号：CN103695693A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310681429.7

申请日：2013-12-13

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 毕珺 ,  张昆华 ,  管伟明 ,  宁远涛

IPC: C22C5/02 ,  C22C30/02 ,  C22F1/14 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明公开了一种金基合金电接触材料的制备方法，涉及使用二次时效的工艺对电接触材料金基六元合金进行处理，以获得具有较高综合性能产品。通过熔铸，均匀化热处理，冷变形，高温短时间一次时效和低温长时间二次时效处理后，合金的电学性能和力学性能达到了良好的匹配，综合性能优于使用传统工艺处理后的产品，使合金的性能得到进一步的提高。

公开(公告)号：CN102703870A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210141181.0

申请日：2012-05-09

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 张俊敏 ,  谭志龙 ,  李艳琼 ,  毕珺 ,  王传军 ,  陈松 ,  张昆华 ,  管伟明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C30B29/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，…式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。

公开(公告)号：CN202539571U

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201220114986.1

申请日：2012-03-25

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 谭志龙 ,  管伟明 ,  张昆华 ,  杨杰 ,  毕珺 ,  王传军 ,  陈松 ,  张俊敏 ,  李艳琼

IPC: B22F3/16

Abstract: 本实用新型公开了一种粉末冶金用粉末装填装置，包括工作台，旋转装置，升降装置和刮片装置，所述旋转装置设置于工作台上，粉末烧结用的模具置于旋转装置上方，所述升降装置控制粉末装填的高度，所述刮片装置将粉末刮平。本实用新型结构简单，可大幅度提高粉末装填的效率和装填的均匀性，而且提高了压制烧结成型制品的平行度和致密度的均匀性，从而提高了生产效率，降低了后续机加工损耗和节约了生产成本。