公开(公告)号：CN1069675C

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN95193887.8

申请日：1995-06-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 松泽纯

IPC: C09D183/00 ,  H01L21/316 ,  C09D185/00

CPC classification number: H01L21/316 ,  C09D183/14 ,  H01L21/76801

Abstract: 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成份得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷，(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜，而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜，还具有优异的抗氧等离子性。

公开(公告)号：CN1151752A

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN95193887.8

申请日：1995-06-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 松泽纯

IPC: C09D183/00 ,  H01L21/316 ,  C09D185/00

CPC classification number: H01L21/316 ,  C09D183/14 ,  H01L21/76801

Abstract: 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成分得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷，(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜，而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜，还具有优异的抗氧等离子性。

公开(公告)号：CN1524917A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03119818.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1235698A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN97199370.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN101649182A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810184455.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO 2 绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1323124C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN03119819.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1935927A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610142509.5

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1245471C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03119818.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。