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公开(公告)号：CN109075758B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201780013563.6
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层，将接合层和压电性单晶基板接合时，使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高，同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有：包含陶瓷的支撑基板1；在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A，接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质；和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm～5.0nm。
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公开(公告)号：CN112868178B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980067455.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)，其包含金属氧化物；压电性材料基板(4、4A)；接合层(2B)，其设置于支撑基板与压电性材料基板之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层(10)，其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。
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公开(公告)号：CN111066243B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880003452.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。
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公开(公告)号：CN115004394A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080030783.1
申请日：2020-12-07
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/312 , C04B37/00 , G02B26/08
Abstract: 在包含高刚性陶瓷的振动板与支撑基板的接合体的基础上，提供能够维持振动板的强度且防止振动板的剥离或开裂的结构。振动板接合体5具备：支撑基板3，其包含硅；振动板1A，其包含高刚性陶瓷且厚度为100μm以下；以及接合层2，其包含α－Si，位于支撑基板3与振动板1A之间，并与振动板1A的接合面1a接触。振动板1A的接合面1a的算术平均粗糙度Ra为0.01nm以上10.0nm以下，振动板1A的接合面1a的蚀坑密度为每100μm2具有10个以上。
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公开(公告)号：CN112840563A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980067483.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1A)；第一接合层(4A)，其设置于支撑基板(3)上，且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)；第二接合层(2A)，其设置于压电性材料基板(1A)上，且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408)；以及非晶质层(7)，其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937306A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
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公开(公告)号：CN110463038A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880001047.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。
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公开(公告)号：CN111937306B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
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公开(公告)号：CN112955811A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980061122.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。
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公开(公告)号：CN112612149A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011031274.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。
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