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公开(公告)号：CN101743346B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200880024501.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板(1)上形成由III族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶(5)。
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公开(公告)号：CN103173864A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310072066.7
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板（1）上形成由III族氮化物构成的基底膜（2）。通过在氢存在下加热处理基板（1）以及基底膜（2），除去基底膜（2）使基板（1）的表面粗面化。通过气相生长法在基板（1A）的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜（4）。在籽晶膜（4）上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶（5）。
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公开(公告)号：CN103081080A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040401.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种通态电阻低且常闭动作型的半导体元件。半导体元件用外延基板具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1＝1）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N（x2+y2+z2＝1）组成的第二III族氮化物构成。第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三维图上，由根据第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，势垒层的厚度为3nm以下，并且，在势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层。
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公开(公告)号：CN102511075A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041195.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/205 , H01L29/7787
Abstract: 提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。
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公开(公告)号：CN101981677A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110483.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板具有良好的二维电子气特性且由应变产生的内部应力减小。采用的解决手段为，以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的五条直线所围成的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081080B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180040401.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种通态电阻低且常闭动作型的半导体元件。半导体元件用外延基板具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)组成的第一III族氮化物构成；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)组成的第二III族氮化物构成。第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三相图上，由根据第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，势垒层的厚度为3nm以下，并且，在势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层。
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公开(公告)号：CN103003931B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180035034.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/778 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66204 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种恰当抑制从上覆层的元素扩散且特性优异的半导体元件用外延基板。在衬底上以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层群的半导体元件用外延基板，包括：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1＋y1＋z1＝1且z1＞0；势垒层，其由具有Inx2Aly2N组成的第二III族氮化物构成，其中x2＋y2＝1且x2＞0、y2＞0；扩散防止层，其由AlN构成且具有3nm以上的厚度；上覆层，其由具有Inx3Aly3Gaz3N组成的第三III族氮化物构成，其中x3＋y3＋z3＝1且z3＞0。
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公开(公告)号：CN101981658B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200980110484.2
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , C23C16/303 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够制作具有良好的二维电子气特性且能实现常闭动作的HEMT元件。以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成位于，在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的四条直线所围成的范围内，且使所述势垒层的厚度在5nm以下。
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公开(公告)号：CN101981658A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110484.2
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , C23C16/303 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够制作具有良好的二维电子气特性且能实现常闭动作的HEMT元件。以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成位于，在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的四条直线所围成的范围内，且使所述势垒层的厚度在5nm以下。
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公开(公告)号：CN101743346A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024501.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406
Abstract: 通过气相生长法在基板(1)上形成由Ⅲ族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由Ⅲ族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养Ⅲ族氮化物单晶(5)。
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