公开(公告)号：CN109153616A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029855.9

申请日：2017-06-19

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行 ,  西川欣克 ,  冈卓司

IPC: C04B35/18 ,  C03C8/24

Abstract: 本发明的复合陶瓷粉末的特征在于，包含β-锂霞石或β-石英固溶体作为主结晶析出的LAS系陶瓷粉末以及TiO2粉末和/或ZrO2粉末。

公开(公告)号：CN108463442A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780006250.8

申请日：2017-01-05

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 西川欣克 ,  广濑将行

IPC: C03C8/24 ,  C03C8/22 ,  H01R9/16

CPC classification number: C03C8/24 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C8/02 ,  C03C8/22 ,  F25B31/00 ,  F25B2500/221 ,  H01R9/16 ,  H01R13/521

Abstract: 本发明的密封材料用于密封金属材料，其特征在于，含有由碱硅酸盐玻璃形成的玻璃粉末70～100质量％和陶瓷粉末0～30质量％，30～380℃的温度范围内的线热膨胀系数大于100×10-7/℃且为170×10-7/℃以下。

公开(公告)号：CN105152532A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510366918.2

申请日：2011-01-19

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 西川欣克

IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20

CPC classification number: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述(1)或(2)中的任一种。下述(2)的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。(1)以质量％计，含有ZnO 50～65％、B2O3 19～28％、SiO2 7～15％、Al2O3 3～12％、Bi2O3 0.1～5％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；(2)以质量％计，含有ZnO 40～60％、B2O3 5～25％、SiO2 15～35％、Al2O3 3～12％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。

公开(公告)号：CN102176412B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102176412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101636819A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。