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    光发送器以及光强度监测方法
    11.
    发明公开
    光发送器以及光强度监测方法 无效

    公开(公告)号：CN108604772A

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：CN201780009502.2

    申请日：2017-02-02

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 小林亘 ,  伊藤敏夫 ,  藤原直树

    IPC: H01S5/026 ,  G02F1/025 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40 ,  H01S5/50

    Abstract: 本发明提供一种对于具备SOA的半导体激光器，确立APC的反馈的光发送器以及光强度监测方法。光发送器具备：SOA集成EA-DFB，包含DFB激光器、连接于DFB激光器的EA调制器、以及连接于EA调制器的SOA，其中，采用将受光器部(404)配置于SOA部(403)的输出端侧前方的构造。受光器部(404)将来自SOA部(403)的输出光的一部分转换为电流来进行受光，并且，剩余的输出光导波至波导(405)。通过将受光器部(404)配置于SOA部(403)的前方，能反馈来自SOA部(403)的输出的结果，能实现良好的APC。

    光半导体元件和光半导体集成电路
    13.
    发明授权
    光半导体元件和光半导体集成电路 失效

    公开(公告)号：CN100377455C

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：CN200480000980.X

    申请日：2004-03-30

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 布谷伸浩 ,  柴田泰夫 ,  藤原直树 ,  菊池顺裕 ,  东盛裕一

    IPC: H01S5/12

    Abstract: 在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和/或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在光波导路中，沿光波导方向形成多个界面，可以以在第一界面反射的光用在其他界面反射的光减弱的方式构成。此外通过界面配置成相对光的传播方向倾斜，也可以减少因在折射率不同的光波导路间的反射和折射造成的波导路损失。

    半导体光学集成元件
    15.
    发明授权
    半导体光学集成元件 有权

    公开(公告)号：CN111033918B

    公开(公告)日：2021-12-24

    申请号：CN201880050160.3

    申请日：2018-09-12

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 进藤隆彦 ,  小林亘 ,  藤原直树 ,  金泽慈

    IPC: H01S5/0683

    Abstract: 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。

    半导体光集成元件及其制造方法
    16.
    发明公开
    半导体光集成元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111819743A

    公开(公告)日：2020-10-23

    申请号：CN201980017585.9

    申请日：2019-02-28

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 进藤隆彦 ,  藤原直树 ,  佐野公一 ,  石井启之 ,  松崎秀昭 ,  山田贵 ,  堀越建吾

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

    Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。

    半导体光集成元件及其制造方法
    18.
    发明授权
    半导体光集成元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111819743B

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN201980017585.9

    申请日：2019-02-28

    Applicant: 日本电信电话株式会社

    Inventor： 进藤隆彦 ,  藤原直树 ,  佐野公一 ,  石井启之 ,  松崎秀昭 ,  山田贵 ,  堀越建吾

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

    Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。

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