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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119234363A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202280096204.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 提供一种制造稳定性和反射抑制效果高的光发射器。光发射器在一个基板上单片集成有如下构件：分布反馈型(DFB)激光器，具有由通过电流注入产生光增益的多量子阱形成的活性区域和衍射光栅；电场吸收型(EA)调制器，具有由与DFB激光器不同组成的多量子阱形成的吸收区域；半导体放大器(SOA)，具有与DFB激光器相同组成的活性区域；弯曲波导，使光的传输方向旋转角度θwg；以及无源波导，连接于SOA，且具备具有比DFB激光器的振荡波长短的带隙波长的芯。无源波导包括锥形区域和窄波导区域。锥形区域构成为将连接于SOA的无源波导的宽度W1转换为窄波导区域的宽度W2，无源波导与基板的端面的法线成角度θwg，且与基板的端面相接。
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公开(公告)号：CN114450861A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201980100790.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 在本公开中示出一种新型构成，其在集成化了SOA的EADFB激光器中，保持发挥能使用相同层构造来简化制造工序的特征，并解决或者减轻光波形品质的劣化。集成化了SOA的EADFB激光器能作为光发射器使用。在本公开的光发射器中，采用在SOA的波导的至少一部分拥有锥形构造的波导构造。在SOA区域中，使波导宽度变窄，使载流子的消耗量在整个光波导方向上均匀化。通过使波导宽度(台面宽度)沿着SOA中的光波导方向连续变窄来降低光限制系数，即使在由于在SOA内的光放大而导致越靠近出射端总光功率越增大的情况下，也使分布于活性层区域内的光功率固定化。
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公开(公告)号：CN118696472A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021543.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT创新器件有限公司
IPC: H01S5/0239 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/50
Abstract: 提供一种搭载有SOA的EA－DFB激光器组件，其能够小型化和防止由于导线间的串扰而引起的频带劣化。本公开的光发射器是使用了EA－DFB激光器组件的光发射器，具备：RF线路，供给电信号；EA－DFB激光器芯片，其是将电信号转化为光信号的EA－DFB激光器芯片，具备振荡出作为射出的信号光的源头的激光的LD、对激光进行强度调制的EA调制器、对经强度调制的信号光进行放大的SOA以及对激光和信号光进行引导的波导；第一平行平板型电容器，用于去除供给至LD的电流的噪声；第二平行平板型电容器，用于去除供给至SOA的电流的噪声；以及多根导线，将各元件间电连接，第二平行平板型电容器配置于与SOA和所述RF线路邻接的位置。
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