公开(公告)号：CN1934679A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。

公开(公告)号：CN110709968B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。

公开(公告)号：CN110382734B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201880016032.7

申请日：2018-03-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岸田茂明 ,  松尾大辅

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置(100)使用等离子体(P)对靶(T)进行溅射而于基板(W)上成膜，且包括：真空容器(2)，经真空排气且供导入气体；基板保持部(3)，在真空容器(2)内保持基板(W)；靶保持部(4)，在真空容器(2)内保持靶(T)；多根天线(5)，沿着由基板保持部(3)所保持的基板(W)的表面而排列，且产生等离子体(P)；以及往返扫描机构(14)，使基板保持部(3)沿着多根天线(5)的排列方向(X)而往返扫描。

公开(公告)号：CN110709968A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。