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公开(公告)号：CN109891321A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066716.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种含有硅的抗蚀剂下层膜，是可以在光刻工序作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜，其能够通过使用了化学溶液的湿式法、特别是SPM(硫酸与过氧化氢水的混合水溶液)来除去。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含：在全部水解性硅烷中以10～90摩尔％的比例包含具有环氧基的水解性硅烷的水解性硅烷的利用碱性物质水溶液而获得的水解缩合物，包含该水解缩合物的反应体系中进一步包含含有有机基的水解缩合物，所述有机基具有利用无机酸或阳离子交换树脂进行的环氧基的开环反应而产生的二羟基。是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于基板进行烧成后获得的抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜能够用以1：1～4：1的H2SO4/H2O2的质量比包含硫酸和过氧化氢的水溶液来除去。
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公开(公告)号：CN113785243B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202080032980.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。
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公开(公告)号：CN113227281B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201980085619.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/08 , C07F7/18 , C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN115485624A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031906.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08G77/04
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成在半导体基板等的加工工序中，不仅能够通过以往的采用干蚀刻的方法，而且能够通过采用使用了稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿蚀刻的方法进行剥离的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，此外提供保存稳定性优异、用于形成干蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，上述水解性硅烷混合物包含式(1)所示的水解性硅烷和烷基三烷氧基硅烷，上述水解性硅烷混合物中的烷基三烷氧基硅烷的含量基于上述水解性硅烷混合物所包含的全部水解性硅烷的总摩尔数为0摩尔％以上且小于40摩尔％。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，表示包含选自琥珀酸酐骨架、乙烯基、苯基和异氰脲酸骨架中的至少1种基团或骨架的有机基，R2为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1，b表示0～2的整数，4‑(a+b)表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN113891906A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039710.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/26 , G03F7/11 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，并且表示包含氰基的有机基，R2为通过Si‑C键而与硅原子结合的基团，并且彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，并且彼此独立地表示羟基、烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113227281A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085619.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/08 , C07F7/18 , C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN113227214A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086354.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/22 , C09D183/06 , C09D183/08 , C07F7/08 , C07F7/10 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成兼具良好的EUV抗蚀剂密合性、和由于氟系蚀刻速率也高因此具有的良好的蚀刻加工性的含有Si的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN111902774A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980020366.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和〔溶在剂式，该(1)水中解，R性1硅为烷式((a2))的包有含机式基(1并)：且R1通aR过2bSSii‑(CR键3)4与‑(a硅+b原)式子(1结)合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。
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公开(公告)号：CN111742020A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201880089915.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G59/68 , C09D183/08 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。
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公开(公告)号：CN111226175A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067123.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/26 , C08G77/388 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供使用具有高蚀刻速度且在基板加工后能够通过药液除去的抗蚀剂下层膜形成用组合物的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在使用包含在强酸的存在下在非醇溶剂中将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的水解缩合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物转印于下层后，用混合双氧水与硫酸而得的硫酸双氧水混合液(SPM)和/或混合双氧水与氨水而得的氨水双氧水混合液(SC1)将经图案化的抗蚀剂膜、经图案化的抗蚀剂下层膜和/或颗粒除去的工序(G)，上述水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4-(a+b)(在式(1)中，R1表示具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的有机基，并且R1以Si-C键与硅原子结合。)所示的水解性硅烷，水解缩合物包含具有由来源于强酸的抗衡阴离子与来源于伯铵基、仲铵基或叔铵基的抗衡阳离子形成的盐结构的有机基。
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