公开(公告)号：CN119563142A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054011.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 武田谕 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]成分：聚硅氧烷；[B]成分：硫酸、多官能磺酸、或它们的盐；以及[C]成分：溶剂。

公开(公告)号：CN110809739B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201880043979.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

公开(公告)号：CN116547343A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180079266.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

IPC: C08G77/14

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成不仅通过采用以往的干蚀刻的方法，而且通过采用使用了药液的湿蚀刻的方法也能够除去，光刻特性优异，在湿蚀刻中也可以实现高蚀刻速度的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]聚硅氧烷、[B]硝酸、[C]双酚化合物、和[D]溶剂。

公开(公告)号：CN109791376B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201780060916.8

申请日：2017-10-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  武田谕 ,  柴山亘 ,  中岛诚 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。

公开(公告)号：CN113785243A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032980.7

申请日：2020-03-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。

公开(公告)号：CN110494807A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880023369.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  C08G77/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成不进行蚀刻而仅通过化学溶液就能够将光刻后的掩模残渣除去的抗蚀剂下层膜的组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，其用于形成含有硅的抗蚀剂下层膜，该含有硅的抗蚀剂下层膜为在通过光刻工艺将图案转印于下层后用包含过氧化氢的化学溶液进行掩模层的除去的工序中作为该掩模层而使用的膜，上述组合物包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷包含：包含含有羰基的官能团的结构单元。上述记载的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，包含含有羰基的官能团的结构单元为包含环状酸酐基、环状二酯基、或二酯基的结构单元。聚硅氧烷进一步包含：包含含有酰胺基的有机基的结构单元。酰胺基为磺酰胺基、或二烯丙基异氰脲酸酯基。

公开(公告)号：CN115362216B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202180024987.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤宏大 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  柴山亘 ,  中岛诚

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/14 ,  C08K5/05 ,  C08K5/06 ,  C08K5/19 ,  C08K5/34 ,  C08K5/42 ,  C08K5/49 ,  C08K5/50 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。

公开(公告)号：CN110376848B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910231808.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  日产化学株式会社

Inventor： 金珠英 ,  金贤友 ,  中岛诚 ,  志垣修平 ,  柴山亘 ,  武田谕

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  C09D183/04

Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X‑Si(R1)2(R2)[式7]Y‑Si(R3)3。

公开(公告)号：CN117716295A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051944.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田论 ,  志垣修平 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11

Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜，其在220nm～300nm的波长区域中的光学吸收系数(k值)的最大值为0.05以上。

公开(公告)号：CN117460995A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040250.0

申请日：2022-06-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 武田谕 ,  加藤宏大 ,  柴山亘 ,  志垣修平 ,  石桥谦

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/42 ,  G03F7/26

Abstract: 一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]成分：聚硅氧烷、和[C]成分：溶剂。所述聚硅氧烷包含源自具有碘代烷基的水解性硅烷(A)的结构单元。