公开(公告)号：CN101164014B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200680013280.3

申请日：2006-04-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  日高基彦

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/161 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。

公开(公告)号：CN102621814A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210060721.2

申请日：2006-04-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  日高基彦

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/161 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。

公开(公告)号：CN101142527A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008731.4

申请日：2006-03-16

Applicant: 国立大学法人电气通信大学 ,  日产化学工业株式会社

Inventor： 富田康生 ,  古岛康志 ,  穐本和彦 ,  近间克己 ,  日高基彦 ,  大土井启祐

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03H1/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种感光性组合物，其光散射损失低、可以持久形成衍射效率高的全息图，以及提供图案的形成方法。本发明通过提供下述感光性组合物以及使用了该组合物的图案形成方法而解决了上述课题，所述感光性组合物的特征在于，在用于通过图案曝光来形成图案的感光性组合物中，含有(a)聚合性化合物、(b)光聚合引发剂、和(c)有机微粒。

公开(公告)号：CN1291219A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN99802953.X

申请日：1999-02-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 池田久男 ,  日高基彦

IPC: C09D5/03 ,  C09D163/06 ,  C08G59/68 ,  C08K5/3435

CPC classification number: C09D163/00 ,  C08K5/3435 ,  C09D167/00 ,  C08L67/02 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/28 ,  C08L2666/18

Abstract: 含有以下(A)组分、(B)组分和(C)组分的粉末涂料用树脂组合物,其中,(A)是数均分子量为1000～20000、酸值为5～200、玻璃化温度为30～120℃的含有羧基的树脂,(B)是1分子中至少含有2个式(1)表示的结构的聚β－甲基环氧丙基化合物,(C)是作为热黄变抑制剂的具有空间位阻的胺。