公开(公告)号：CN113396322A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202080012783.9

申请日：2020-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中岛一裕 ,  宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: G01K7/18

Abstract: 导电薄膜(101)在树脂薄膜基材(50)的一个主表面上具备金属薄膜(10)。金属薄膜表面的根据长度1μm的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra1优选2nm以下。金属薄膜表面的根据长度0.7mm的粗糙度曲线求出的最大高度Rz2优选150nm以上。树脂薄膜基材(50)可以在树脂薄膜(5)的表面具备硬涂层(6)。通过将导电薄膜的金属薄膜图案化，能够制作温度传感器薄膜。

公开(公告)号：CN115835957B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202180049236.2

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚 ,  角田丰

IPC: B32B7/022 ,  G02B1/18 ,  G02B1/14 ,  G02B1/115 ,  G02B1/113 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  B32B27/00 ,  B32B9/00 ,  B32B7/023

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度为1.05GPa以上。

公开(公告)号：CN115812033B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202180049524.8

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚 ,  角田丰

IPC: B32B7/022 ,  G02B1/18 ,  G02B1/14 ,  G02B1/115 ,  G02B1/113 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  B32B27/00 ,  B32B9/00

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)为配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的、在温度为25℃且最大压痕深度为200nm的条件下利用纳米压痕法而测得的弹性恢复率为76％以上。

公开(公告)号：CN117480412A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280041594.3

申请日：2022-06-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 桥本尚树 ,  宫本幸大 ,  渊田岳仁 ,  水川裕贵 ,  角田豊 ,  安藤豪彦

IPC: G02B1/14

Abstract: 本发明提供兼顾表面的耐磨性与折弯耐性的硬涂膜。本发明的硬涂膜(10)在透光性基材(A)(11)的至少一个面上依次层叠有硬涂层(B)(12)、光学功能层(C)(13)及防污层(D)(14)。防污层(D)(14)包含氟作为元素。透光性基材(A)(11)的平均厚度dS[μm]、硬涂层(B)(12)的平均厚度dH[μm]及光学功能层(C)(13)的平均厚度dI[μm]满足下述数学式(1)及(2)的关系。0.2≤dH×dI≤4(1)0.02≤(dH+dI)/dS≤0.62(2)。

公开(公告)号：CN116157263B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202180061035.4

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: B32B27/00

Abstract: 层叠体朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层和防污层。防污层包含具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物。通过规定的第一试验而测得的防污层的第一积分强度比为0.78以下。

公开(公告)号：CN117295611A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034167.2

申请日：2022-12-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  角田丰 ,  梨木智刚

IPC: B32B37/14

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)的制造方法包括如下工序：边利用辊对辊方式搬运透明基材薄膜(10)边在该透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的一面侧形成防污层(23)。透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的另一面的表面自由能为45mN/m以下。本发明的带防污层的光学薄膜(F)具备透明基材薄膜(10)和防污层(23)，所述防污层(23)配置在透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的一面侧。透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的另一面的表面自由能为45mN/m以下。

公开(公告)号：CN117295610A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034102.8

申请日：2022-12-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  角田丰 ,  安藤豪彦

IPC: B32B37/02

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)的制造方法包括防污层形成工序和粘贴工序。在防污层形成工序中，边利用辊对辊方式搬运透明基材薄膜(10)，边在透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的一面侧形成防污层(23)。在粘贴工序中，在防污层形成工序之前、或者在防污层形成工序之后且卷取带防污层(23)的透明基材薄膜(10)之前，在透明基材薄膜(10)的厚度方向(D)的另一面侧粘贴保护薄膜(30)。本发明的带防污层的光学薄膜(F)具备透明基材薄膜(10)、配置在该薄膜的一面侧的防污层(23)和配置在另一面侧的保护薄膜(30)。

公开(公告)号：CN112004663B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201980027636.6

申请日：2019-04-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中井孝洋 ,  渡边太一 ,  陈晓雷 ,  北井秀幸 ,  米泽秀行 ,  宫本幸大 ,  有本将治

IPC: B32B3/14 ,  B32B15/04

Abstract: 本发明涉及电磁波透过性金属光泽物品(1)，其具备：基体(10)、和在前述基体(10)上形成的金属层(12)，前述金属层(12)的全反射光谱中的反射率的极大值处于380nm～780nm的范围。

公开(公告)号：CN115835957A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180049236.2

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚 ,  角田丰

IPC: B32B7/022

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度为1.05GPa以上。

公开(公告)号：CN114503221A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069066.X

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 涩谷克则 ,  中岛一裕 ,  宫本幸大

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种在树脂膜基材上具备金属薄膜的导电膜、及树脂膜基材上的金属薄膜经图案化而得的温度传感器膜。用于制作温度传感器膜的导电膜(101)在树脂膜基材(50)的一个主面上，隔着作为基底层(20)的氧化铬薄膜(21)具备金属薄膜(10)。通过将金属薄膜图案化，形成测温电阻部与连接于测温电阻部的引线部，从而获得温度传感器膜。