公开(公告)号：CN108735649A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810342266.2

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、不易产生卷痕、并且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及芯片接合薄膜(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。芯片接合薄膜(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)可剥离地密合。芯片接合薄膜(20)的外周端(20e)在薄膜面内方向(D)位于距粘合剂层(12)的外周端(12e)500μm以内的距离处。

公开(公告)号：CN108728000A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810345577.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/38 ,  C09J133/20 ,  C09J175/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C08G18/62 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20

Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。

公开(公告)号：CN108727999A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810339937.X

申请日：2018-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。