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公开(公告)号：CN112034614A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010473622.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 宫地护
Abstract: 本发明提供一种光偏转器及光扫描装置。该光偏转器等能够避免偏转角检测用的光传感器的长大化并能够检测出镜部的任意的偏转角。光偏转器(3)具备镜部(30)和致动器(32a～32d)，镜部(30)具有均反射入射光的平坦反射面(38)和槽型反射面(39)；致动器(32a～32d)使镜部(30)绕旋转轴(36)往复转动。槽型反射面(39)具有与旋转轴(36)平行地延伸设置的多个纵槽(41)。各纵槽(41)具有与旋转轴(36)平行的对置倾斜面(42a，42b)，对置倾斜面(42a，42b)具有V槽的对置倾斜面的至少开口侧部分。
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公开(公告)号：CN105636262A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510824001.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H05B33/08
CPC classification number: F21V19/001 , B60Q1/143 , B60Q2300/122 , B60Q2300/41 , B60Q2300/42 , F21S41/143 , F21S41/19 , F21S41/25 , F21S41/663 , F21V23/003 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H05B33/0821
Abstract: 发光二极管设备。一种发光二极管设备包括：支承基板；以及发光二极管阵列，该发光二极管阵列由所述支承基板上二维地布置的多个发光二极管形成，构成所述发光二极管阵列中具有最高亮度的光分布中心，其中，所述多个发光二极管被划分为多个控制单元，所述多个控制单元的驱动电流能够单独地控制，其中，所述多个控制单元包括多个复合控制单元，在每个复合控制单元中，多个发光二极管串联连接，并且其中，在每个复合控制单元中的多个发光二极管当中，离所述光分布中心较远的发光二极管的发光面积比离所述光分布中心较近的发光二极管的发光面积大。
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公开(公告)号：CN102646763B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210040856.2
申请日：2012-02-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 宫地护
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/385
Abstract: 一种氮化物半导体发光元件的制造方法，该方法可以可靠地形成从发光元件表面引出的机械稳定的导线电极。预先在器件结构层上的第一电极层的周边形成结构保护牺牲层，在将器件结构层分离为发光元件的各个部分之后，粘接到支撑衬底上。随后，形成到达结构保护牺牲层的正锥形槽，并且在剥离步骤中剥离形成在该正锥形槽外面的倒锥形部。从而，在发光元件的正锥形侧壁上形成了绝缘层，并且在该绝缘层上形成了布线电极层，该布线电极层电连接到发光元件的主面上的第二电极层。
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公开(公告)号：CN102983146A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210320249.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/387
Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括：电极层；半导体发光层，其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行；以及多个第二布线层，其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层，并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层，其中，所述半导体发光层的平面形状包括两个短边，该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分，并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
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公开(公告)号：CN102646763A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210040856.2
申请日：2012-02-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 宫地护
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/385
Abstract: 一种氮化物半导体发光元件的制造方法，该方法可以可靠地形成从发光元件表面引出的机械稳定的导线电极。预先在器件结构层上的第一电极层的周边形成结构保护牺牲层，在将器件结构层分离为发光元件的各个部分之后，粘接到支撑衬底上。随后，形成到达结构保护牺牲层的正锥形槽，并且在剥离步骤中剥离形成在该正锥形槽外面的倒锥形部。从而，在发光元件的正锥形侧壁上形成了绝缘层，并且在该绝缘层上形成了布线电极层，该布线电极层电连接到发光元件的主面上的第二电极层。
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