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公开(公告)号：CN107993687A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810029754.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种存储器电路，包括存储器阵列单元电路、行译码器电路、列译码器电路、页缓存电路、逻辑控制电路以及IO接口电路。在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路，对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209545549U
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201920052145.4
申请日：2019-01-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 公开了一种数字可调的振荡器。数字可调的振荡器包括：开关控制阵列电路和多谐振荡器核心电路。其开关控制阵列电路用于调节反相器的翻转电压，其多谐振荡器核心电路用于输出方波，以通过控制阵列电路调节脉冲波的占空比，达到数字可调的效果，实现了对振荡器占空比高精度的调节。本实用新型提供的数字可调的振荡器用新的方法实现了数字可调的目的，并且对占空比的控制更加的高效、精确。而且采用数字电路调控占空比只占用很小的芯片面积，在解决技术难题的同时很好地节约了成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207742939U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201820051423.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，包括：ECC译码器电路、读取状态机电路。对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，具备一定的纠正读取数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，极大地提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性，解决了现有存储器可靠性技术瓶颈。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207690062U
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201721838695.6
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及存储技术领域，本实用新型提供一种高可靠性固态硬盘，包括:前端主机通讯接口、固态硬盘控制器及NAND Flash存储介质芯片，所述前端主机通讯接口与固态硬盘控制器相连，所述固态硬盘控制器，与主机通讯接口相连，还与两个以上通道的NAND Flash存储芯片相连，用于控制整个固态硬盘盘片的数据传输、命令传输及对盘片的读取、编程、擦除业务操作的控制。借此，本实用新型针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失。本实用新型在固态硬盘控制器中嵌入高温保护电路，增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207611609U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201820057620.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 提供了一种存储器电路，包括一种嵌入ECC的MLC NAND Flash存储器电路，在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路。对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207882791U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820191341.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本实用新型提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在-75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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