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公开(公告)号：CN116986896B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241871.8
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑2‑取代O ，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。(56)对比文件Yoshimura, S 等.Crystal growth andelectric-field-induced strain inBi0.5Na0.5TiO3 singlecrystals.TRANSACTIONS OF THE MATERIALSRESEARCH SOCIETY OF JAPAN.2006,第31卷(第01期),47.
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公开(公告)号：CN116986895B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241879.4
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原4‑ 2‑料，实现S 取代O ，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数ε r可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。(56)对比文件李涛 等.锆钛酸铅压电陶瓷的研究进展与发展动态.湘南学院学报.2004,(第02期),54-57.
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公开(公告)号：CN116573936A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310850114.4
申请日：2023-07-12
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08 O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
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公开(公告)号：CN113918210A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111086159.6
申请日：2021-09-16
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川数优通慧科技有限公司
Abstract: 本发明属于程序优化技术领域，公开了一种基于OMP的calmet程序的优化方法及系统，将f77代码转化为f90代码，并去除goto语句，替换摒弃的f77语句为f90语句；运用分析工具分析程序的热点程序，并记录程序热点函数；调整程序的编译选项，并使用英特尔编译器提供的优化选项‑自动向量化对程序进行优化；使用OMP技术对程序的热点模块‑avetmp平均温度计算模块、avemix空间混合高度计算模块进行并行优化。本发明在calmet计算模块程序优化的应用中，极大的提升了程序的计算效率；同时本发明的方法简单，成本低；弥补了现有优化方法性能提升效果不佳且成本高，对人员要求高的缺陷。
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公开(公告)号：CN116986896A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311241871.8
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑取代O2‑，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116986895A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311241879.4
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原料，实现S4‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数εr可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
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公开(公告)号：CN116553927B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310850112.5
申请日：2023-07-12
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种无铅压电陶瓷及制备方法，压电陶瓷的化学通式为：0.95K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3‑0.035(Bi0.5Ag0.5)ZrO3‑0.015BaZrO3‑xF2x‑0.004Fe2O3，其中，x为用BaF2替代原料中的BaCO3的摩尔百分数，x=20~100%。本发明采用BaF2取代BaCO3作为原料,实现氟离子对氧离子的取代，即阴离子掺杂，使制备的压电陶瓷材料的相变处介电峰锐化，相对介电常数为2303~3001，压电系数为410~480 pC/N，制备过程采用Fe2O3作为助烧剂，能够有效地降低材料的烧结温度，有助于提升陶瓷的致密性，获得高质量的陶瓷。
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公开(公告)号：CN116307267B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310541048.2
申请日：2023-05-15
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G06Q10/04 , G06F18/24 , G06F18/25 , G06N3/0442 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于卷积的降雨预测方法，包括以下步骤：S1、获取降雨和风数据，并对其进行处理，得到二维信息；S2、将二维信息输入多模态融合结构，得到经过信息补充后的降雨特征图；S3、将降雨特征图输入UNet模型，得到降水强度分类结果，完成降雨预测；本发明提供的一种基于卷积的降雨预测方法利用多模态之间的互补性可以获取更高精度的降水预报，在采用多模态融合技术基础上，提出的UNet模型能够有效构建远程特征依赖关系加强对边缘信息及时序信息的特征提取，并通过改变特征提取过程构建轻量级卷积结构，在降雨预测的准确度上效果最佳。本发明从提高降雨预测准确度和降低模型复杂度上都表现出优秀性能。
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公开(公告)号：CN107098701B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710298760.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了铌酸钾钠锂‑锆酸铋钠钾‑钪酸铋三元系无铅压电陶瓷，解决了陶瓷无法在高压电常数的情况下依然能保证较高的居里温度的问题。本发明的通式为：(0.995‑x)(K0.5Na0.5)0.97Li0.03NbO3‑xBi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3‑0.005BiScO3，式中，0≤x≤0.06。本发明同时兼具良好的压电性能和较高的居里温度，拓宽了陶瓷的温度使用范围。
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公开(公告)号：CN111548157A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010334753.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用，所述无铅电致伸缩陶瓷组分组成如下述通式所示:(1-x-y)(K0.6Na0.4)NbO3-xNaSbO3-yBi0.7Na0.5ZrO3-aFe2O3表示，通式中的x、y、a取值分别为：0.05≤x≤0.09，0.01≤y≤0.05，0.001≤a≤0.01。本发明所制备的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷具有良好的优异的电致伸缩应变、电致伸缩系数和温度稳定性，其电致伸缩应变可达0.1％、电致伸缩系数可达0.047m4/C2，且电致伸缩系数在室温至180℃的宽温区内保持稳定，可在驱动器和微位移控制器等电子器件中获得应用，对取代铅基电致伸缩材料具有重大意义。
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