公开(公告)号：CN106952665A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710156190.X

申请日：2017-03-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨燕 ,  王海时 ,  李英祥 ,  彭映杰 ,  王滨

IPC: G11C17/18 ,  G06F12/14

CPC classification number: G11C17/18 ,  G06F12/1408 ,  G06F12/1416

Abstract: 本发明提出了一种访问OTP（一次可编程）存储器的电路，通过配置访问OTP存储器指令产生对应访问OTP存储器的接口时序，实现对OTP存储器的编程、读取、唤醒、复位、睡眠操作。同时，在对OTP存储器编程操作中，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址多次施加脉冲电压进行编程，采用编程算法模块电路对编程算法进行控制，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器利用。

公开(公告)号：CN207742939U

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201820051423.X

申请日：2018-01-12

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨燕 ,  王滨 ,  王海时 ,  彭映杰 ,  李英祥 ,  王天宝 ,  杜江 ,  陈霞

IPC: G11C29/42

Abstract: 提供了一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，包括：ECC译码器电路、读取状态机电路。对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，具备一定的纠正读取数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，极大地提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性，解决了现有存储器可靠性技术瓶颈。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207611609U

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201820057620.2

申请日：2018-01-12

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨燕 ,  陈霞 ,  王海时 ,  彭映杰 ,  李英祥 ,  王天宝 ,  杜江 ,  王滨

IPC: G11C16/22 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种存储器电路，包括一种嵌入ECC的MLC NAND Flash存储器电路，在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路。对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207882791U

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201820191341.5

申请日：2018-02-05

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨燕 ,  李翠 ,  王滨 ,  陈霞 ,  赵健雄 ,  李英祥 ,  王天宝

IPC: G05F3/26

Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本实用新型提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在-75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利