公开(公告)号：CN211905770U

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201821816485.1

申请日：2018-11-06

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨光瑶 ,  毛焜

IPC: G02B6/35

Abstract: 本实用新型公开了一种采用光驱动控制的MEMS光开关，包括第一基片、第二基片；第一基片上集成有通信光纤、移动式微反射镜、静电执行器，所述静电执行器包括一对电极；第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔室，所述密闭腔室内设置有第一对金属面，所述的第一对金属面中，其中的一个金属面为具有光电效应的第一光电子发射金属面，另一个金属面为用于接收光电子的第一光电子接收金属面；所述密闭腔室上设置有其光线射向第一光电子发射金属面驱动光纤；所述的一对电极分别通过第一导线、第二导线与所述第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面对应连接。本实用新型实现了纯光线驱动模式下的光路切换。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207611109U

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201721752614.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 李珂 ,  陈娇 ,  王海时 ,  彭映杰 ,  李英祥 ,  毛焜 ,  杨燕 ,  王天宝

IPC: G01R31/02 ,  H02H3/04

Abstract: 本实用新型提供了一种用于感性设备的检测和保护电路。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本实用新型主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能够及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻发出声光报警并且不会为设备提供电力供应，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的漏电、短路情况出现，保护人员及设备安全。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207896096U

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201820293375.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 毛焜 ,  姚尧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。本实用新型能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207896095U

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201820293374.0

申请日：2018-03-02

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 毛焜 ,  姚尧

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本实用新型能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207611302U

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201721919010.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 成都信息工程大学 ,  四川海创天芯科技有限公司 ,  四川悠服科技有限公司

Inventor： 刘丹 ,  王海时 ,  毛焜 ,  杨燕 ,  彭映杰 ,  王天宝 ,  李英祥 ,  杨春俊

IPC: G05F1/56

Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207586786U

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201721894819.2

申请日：2017-12-29

Applicant: 成都信息工程大学 ,  四川海创天芯科技有限公司 ,  四川悠服科技有限公司

Inventor： 杨春俊 ,  王海时 ,  毛焜 ,  杨燕 ,  彭映杰 ,  王天宝 ,  李英祥 ,  刘丹

IPC: G05F1/56

Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。