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公开(公告)号：CN113936981A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111167986.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。
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公开(公告)号：CN112756013A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011520285.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J31/06 , B01J37/10 , C02F1/30 , C08G12/32 , C02F101/22
Abstract: 一种可用于光催化水净化的共价有机骨架/杨柳絮复合催化剂的制备方法，属于功能材料领域。以自然界的杨/柳絮为基底，在不使用任何催化剂的条件下，利用三聚氰胺与三甲酰间苯三酚单体，经溶剂热偶联处理，即可在杨/柳絮表面负载含有三嗪的多孔共价有机骨架(COF)，所得的复合结构在光催化水净化领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108149042B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711407530.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo‑x％Ni(x＝0.1‑1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃‑1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。
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公开(公告)号：CN110303165A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910585566.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110180574A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910487150.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种氮掺杂三元硫化物电催化剂材料制备及应用，属于催化剂技术领域。包括以下步骤：将金属基底用盐酸、无水乙醇和去离子分别超声去除表面的氧化物及杂质；将过渡金属前驱体盐及钨或钼的可溶性盐加入去离子水，搅拌溶解；将基底竖直放入水热釜中，然后加入上述溶液，进行水热反应；产物水洗，然后放入水热釜中，加入含硫源和氮源的溶液进行硫氮化反应；所得产物用去离子水洗涤、烘干，即得到氮掺杂的三元硫化物电催化剂。制备颗粒则省去基底的引入。在X-M-S催化剂的制备过程中进行了原位氮掺杂，提高了作为电解水催化剂的催化性能。
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公开(公告)号：CN110142415A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910586170.5
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种氧化物掺杂多合金相钨铼合金粉及制备方法，属于难熔金属领域。粉体由Re3W、Re、W、ReW等不同铼钨比例的合金相以及掺杂金属氧化物组成。采用含有铼元素的铵盐、含钨元素的铵盐以及金属元素硝酸盐作为原料进行固相混合，使用水、乙醇作为调和液将混合粉末制成膏状并烘干。在氢气气氛下进行分解还原，采用多步分解还原工艺，第一步为150-450℃，保温0.1-5小时。第二步为550-850℃，保温0.5-5小时，第三步为950-1700℃，保温0.5-5小时，获得多相铼钨合金混合粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，制备样品纯度高，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110085437A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910322600.2
申请日：2019-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种聚乙撑二氧噻吩/聚苯胺复合材料及其制备方法与应用，属于超级电容器领域。该材料以聚3,4-乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸钠(PEDOT：PSS)为原料，通过水热和溶剂后处理的方式构建高导电多孔PEDOT载体，进而以苯胺单体为原料在此多孔载体上原位生长聚苯胺，得到一种全导电聚合物双网络复合电极材料。与现有技术相比，本发明设计了新型的全导电聚合物的组装体系，将高导电性、充足的离子扩散通道与高活性位点有效结合，并将其应用于柔性纤维全固态超级电容器中，实现了兼具高体积能量密度和功率密度的纤维超级电容器；且制备流程简单，生产周期短，易实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN106637116B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN109807326A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910069139.4
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波烧结制备压制型钡钨阴极的方法，属于难熔金属阴极材料技术领域。将分析纯的偏钨酸铵，硝酸钡，硝酸钙，硝酸铝分别溶于去离子水，经液-液掺杂后利用喷雾干燥结合两段还原方法获得亚微米级活性盐掺杂钨粉末。随后，经过压制、微波烧结工艺获得具有亚微米结构的钡钨阴极。实验结果表明,与常规烧结制备阴极相比，微波烧结的工艺烧结温度低，烧结时间短且烧结功率大大减小。通过微波烧结制备出的阴极显微结构明显改善，阴极发射性能得到一定提高，在1050℃b时支取的脉冲发射电流密度可以达到6.52A/cm2，与常规烧结制备得到的阴极1050℃b支取发射电流密度3.46A/cm2相比，脉冲发射电流密度增长明显。
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