公开(公告)号：CN112725748B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202011250237.7

申请日：2020-11-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈树群 ,  王金淑 ,  周文元

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C22F1/18 ,  C21D1/74 ,  C21D1/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种超细纳米晶钨材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以非晶材料晶化理论为基础，采用反应磁控溅射结合氢气热处理法制备出平均晶粒尺寸低至4nm的超细纳米晶组织，显微硬度高达22.1GPa。本方法工艺简单，过程易控制，具有较高的实际应用价值。

公开(公告)号：CN114351103A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111536447.7

申请日：2021-12-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 马捷 ,  黄俊奇 ,  李洪义 ,  魏建忠 ,  陈树群 ,  刘悦 ,  谭翠翠 ,  王越

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 一种轴承钢表面固载二硫化钼薄膜的方法，属于金属材料表面改性技术领域。首先使用脉冲激光器在轴承钢表面制备微孔阵列，然后利用射频磁控溅射技术将MoS2固体润滑剂引入到轴承钢表面。经固载后的轴承钢表面的摩擦系数最低可降至0.10，远低于光滑表面轴承钢的摩擦系数1.10。固体润滑剂沉积在轴承钢表面，摩擦失效时间为198.66分钟，光滑轴承钢表面摩擦时间失效时间为15.66分钟。本发明提供的轴承钢表面微孔固载MoS2的技术，可以大幅降低轴承钢表面的摩擦系数，提高固体润滑材料的稳定性。

公开(公告)号：CN112725748A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011250237.7

申请日：2020-11-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈树群 ,  王金淑 ,  周文元

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C22F1/18 ,  C21D1/74 ,  C21D1/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种超细纳米晶钨材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以非晶材料晶化理论为基础，采用反应磁控溅射结合氢气热处理法制备出平均晶粒尺寸低至4nm的超细纳米晶组织，显微硬度高达22.1GPa。本方法工艺简单，过程易控制，具有较高的实际应用价值。

公开(公告)号：CN118048602A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410145562.9

申请日：2024-02-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈树群 ,  邵孟雪

IPC: C23C8/68

Abstract: 一种GH4169合金表面高耐磨硼化物渗层的低温制备方法，属于耐磨材料制备技术领域。利用固体粉末包埋渗硼技术，通过调节渗硼剂(3％‑6％KFB4，10％ZrO2，余量为B4C)，成功在800℃低温条件下在固溶态GH4169镍基高温合金表面制备了厚度约为8.2μm的高硬度、高耐磨硼化物渗层。相比传统的GH4169合金高温渗硼工艺相比，这种渗硼方法能够将合金热处理时效过程与渗硼过程相统一，避免了高温渗硼后的二次热处理工序；并显著提高了GH4169合金的耐磨特性。本发明渗层制备工艺简单，成本较低并且可以获得质量良好、结合牢固的硼化物渗层。

公开(公告)号：CN115206571A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210546794.6

申请日：2022-05-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈树群 ,  刘晓艺 ,  刘悦 ,  魏建忠 ,  马捷

IPC: G21F1/06 ,  G21F1/08

Abstract: 一种具有复合射线屏蔽性能的含硼钨基材料，属于屏蔽材料制备技术领域。该材料由纯钨基体经表面固相渗硼得到，单面硼化层的厚度约为20‑115um。相比传统的屏蔽材料，这种复合屏蔽材料对γ射线和中子均有较为显著的屏蔽效果，同时具有工艺易调控、环境友好等优良特性。

公开(公告)号：CN111044603A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010037993.5

申请日：2020-01-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  胡海栋 ,  陈树群 ,  周文元

IPC: G01N27/62

Abstract: 一种高纯钼中非金属杂质元素的分析方法，属于粉末冶金分析技术领域。采用采用高平燃烧红外吸收法、惰气脉冲导热法或/和惰气脉冲红外法对待测的高纯钼中C、O、N非金属元素的含量进行测定，然后再采用三位原子探针技术来获取非金属杂质元素在钼材料中的分布规律。采用本发明的方法，能够明确得到非金属元素的含量和分布规律，对应调控各阶段控制非金属杂质元素起到先导的作用。

公开(公告)号：CN111036914A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010006398.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  骆凯捷 ,  杨韵斐 ,  周帆 ,  梁轩铭 ,  刘伟 ,  陈树群

IPC: B22F3/11 ,  B22F5/10 ,  B22F3/24 ,  B22F1/00 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，采用可三维立体成型的激光选区熔化(SLM)技术制备了阴极多孔钨基，并对激光能量与多孔钨基致密度的关系进行了研究。研究结果表明采用激光功率P＝160W，扫描速度V＝1600mm/s，扫描间距D＝0.10mm的制备工艺能够获得相对密度为65.7％的阴极基体，且能够满足阴极后续制备加工的需求，其活性盐浸渍量达13％。对该阴极发射性能进行测试，结果显示该阴极发射性能能够达到传统钡钨阴极材料的发射性能。

公开(公告)号：CN108149042A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711407530.8

申请日：2017-12-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  殷俏 ,  陈树群 ,  王飞飞 ,  杨韵斐 ,  华亚周

IPC: C22C1/04 ,  C22C27/04

Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo-x％Ni(x＝0.1-1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃-1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。

公开(公告)号：CN117947400A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410231524.5

申请日：2024-02-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  吴振江 ,  陈树群 ,  周文元

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/56 ,  C23C8/68

Abstract: 一种高耐磨硼化钨涂层的制备方法，属于耐磨材料制备技术领域。利用化学气相沉积技术，在钨基体上首先制备厚度约为29.1μm纯钨涂层，再利用低温固相渗硼技术，将部分纯钨涂层转化成硼化钨涂层，进而实现材料表面硬度和耐磨损性能的提升。相比于金属表面直接化学气相沉积硼化钨，本方法可避免使用高危险的三氯化硼气体，还能有效调控涂层厚度与显微结构。本发明涂层制备工艺可适用于多种金属材料的表面强化改性，具有较强的实际应用价值。

公开(公告)号：CN117737681A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311511226.3

申请日：2023-11-13

Applicant: 北京工业大学 ,  佛山耐信涂层技术有限公司

Inventor： 陈树群 ,  马树腾 ,  李永利 ,  张杰 ,  李标章

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 一种航空有机玻璃表面高透明疏水DLC薄膜的制备方法，属于疏水材料的技术制备领域。本发明以高纯碳靶为碳源，高纯CF4气体为氟源，通过反应磁控溅射技术在YB‑3型航空有机玻璃表面低温沉积出厚度约30nm、F原子量约为20％的DLC薄膜，其透光率达90.9％，疏水角达108.6°。本发明薄膜制备工艺易调控，并且可以获得综合性能良好的透明疏水DLC薄膜。