公开(公告)号：CN113330533A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089223.0

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·J·叶 ,  A·坎古德 ,  L·布恩卡特 ,  R·乔德里 ,  杰伊二世·D·平森

IPC: H01J37/32 ,  H01Q1/26 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述RF线圈布置在腔室壁附近以触发并维持腔室主体内的等离子体，其中的两个或更多个RF线圈中的至少两个处于递归配置。

公开(公告)号：CN110573653A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880025698.9

申请日：2018-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·博卡 ,  J·M·沙勒 ,  J·D·平森二世 ,  L·布恩卡特

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/503 ,  C23C16/517

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。

公开(公告)号：CN212389950U

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201922220608.6

申请日：2019-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·布恩卡特 ,  Y·杨 ,  R·乔德里 ,  A·坎古德

IPC: F16L59/02 ,  F16L59/04

Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术，具体为一种用于工艺腔室的装置。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利