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公开(公告)号：CN102753737B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180009519.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/184 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。
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公开(公告)号：CN102272891B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200980154399.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
CPC classification number: C30B29/20 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B33/04 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102792420A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011562.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , H01L21/268 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供的单晶衬底、单晶衬底的制造方法、使用该单晶衬底的带多层膜的单晶衬底的制造方法以及利用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；在由第一区域(10D)和第二区域(10U)构成的两个区域中的任意一个区域内设有热改性层，并且，设有热改性层的区域的面侧翘曲成凸状，其中，第一区域(10D)和第二区域(10U)是在衬底的厚度方向上进行二等分而得到的。
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公开(公告)号：CN105684166A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480051188.0
申请日：2014-08-25
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 东丽株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/316
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2933/0033 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种基板及其制造方法、发光元件及其制造方法、以及具有该基板或发光元件的装置，该基板在表面上具有所希望的图案，即使无光阻膜仍可形成图案，从而可实现伴随工序数量的消减以及工序数量的消减的低成本化。准备平坦的基板，在基板面上形成含有感光剂的电介质，且图案形成电介质，通过在基板面上形成所希望的图案的电介质，可得到在平坦的基板面上具有由岛状凸部构成的图案，且凸部由电介质构成的基板。
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