公开(公告)号：CN1497724A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03155096.7

申请日：2003-08-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 山田悟 ,  永井亮 ,  大汤静宪 ,  中邑良一 ,  高浦则克

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/7833

Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。