公开(公告)号：CN100452418C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610006478.0

申请日：2006-02-09

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  藤幸雄 ,  中井洁 ,  川越刚

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。

公开(公告)号：CN1967861A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149326.6

申请日：2006-11-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 佐藤誉 ,  中井洁

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种非易失半导体存储器件包括：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其每个布置在下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其提供在下电极和记录层图案之间，并且具有多个孔，用于暴露下电极的一部分。下电极和记录层图案在每个孔中连接。孔在X方向上相互平行地延伸。记录层图案在Y方向上相互平行地延伸。这样一来，与形成独立的孔相比，能够以更高的准确度形成孔。因此，能够获得高热效率，同时有效防止不良连接等的发生。