公开(公告)号：CN103715081A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310329130.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 苫米地秀一 ,  小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L21/31 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供半导体晶体衬底和半导体装置及其制造方法。制造半导体晶体衬底的方法包括通过将包含氮组分的气体供给到由包含硅材料形成的衬底并使衬底的表面氮化来形成氮化物层；以及通过供给包含氮组分的气体和包含Al的源气体而在氮化物层上形成AlN层。

公开(公告)号：CN103035699A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210266766.5

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置的一个实施例包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极。所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层。在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率。

公开(公告)号：CN104425584B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410347680.4

申请日：2014-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体装置。根据本公开的半导体装置包括：在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN103545361B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310209732.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN102956679B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210277906.9

申请日：2012-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  苫米地秀一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm-2或更大的数目密度形成的凹部。

公开(公告)号：CN103367420B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310018356.3

申请日：2013-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。

公开(公告)号：CN103035699B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210266766.5

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置的一个实施例包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极。所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层。在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率。

公开(公告)号：CN103715242A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN103367420A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310018356.3

申请日：2013-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。

公开(公告)号：CN103022121A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210348151.7

申请日：2012-09-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的第三半导体层、形成在第三半导体层上的栅电极以及与第二半导体层相接触形成的源电极和漏电极，其中第三半导体层的半导体材料掺杂有p型杂质元素，并且第三半导体层具有朝着设置有漏电极的一侧突出超过栅电极的边缘的突出区域。